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IXTX46N50L

更新时间： 2024-11-05 20:36:15

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力特 - LITTELFUSE		/
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6页	158K
描述
Power Field-Effect Transistor,

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IXTX46N50L 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.75
Base Number Matches：	1

IXTX46N50L 数据手册

Preliminary Technical Information

IXTK46N50L

IXTX46N50L

V_DSS= 500 V

I_D25= 46 A

Linear Power MOSFET

With Extended FBSOA

N-Channel Enhancement Mode

R_DS(on)≤ 0.16

TO-264 (IXTK)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

500

V_DGR

V_GS

Continuous

Transient

(TAB)

V_GSM

I_D25

I_DM

I_AR

T_C= 25°C

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

T_C= 25°C

100

PLUS247 (IXTX)

E_AR

E_AS

T_C= 25°C

1.5

P_D

T_C= 25°C

700

TAB

T_J

-55 to +150

150

°C

T_JM

T_stg

G = Gate

S = Source

D = Drain

TAB = Drain

-55 to +150

T_L

1.6 mm (0.063 in) from case for 10 s

Plastic body for 10 s

300

260

°C

T_SOLD

Features

M_d

F_c

Mounting torque

Mounting force

(TO-264)

1.13/10 Nm/lb.in.

(PLUS247^TM)

20...120/4.5...27

N/lb.

^zDesigned for linear operation

^zInternational standard package

^zUnclamped Inductive switching (UIS)

Weight

Symbol

PLUS247

TO-264

rated

^zMolding epoxies meet UL 94 V-0

flammability classification

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Applications

Min.

Typ.

Max.

^zProgrammable loads

^zCurrent regulators

^zDC-DC converters

^zBattery chargers

^zDC choppers

^zTemperature and lighting controls

BV_DSS

V_GS(th)

V_GS= 0 V, I_D= 1 mA

500

V_DS= V_GS, I_D= 250 μA

I_GSS

I_DSS

V_GS= 30 V, V_DS= 0 V

200

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

μA

R_DS(on)

V_GS= 20 V, I_D= 0.5 I_D25, Note 1

0.16

Advantages

Easy to mount

Space savings

High power density

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

DS99350A(03/07)

12 3 4 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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IXTX550N055T2	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 550A I(D), 55V, 0.0016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IXTX550N055T2	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTX5N250	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTX600N04T2	IXYS	获取价格	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode
IXTX600N04T2	LITTELFUSE	获取价格	这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能
IXTX60N50L2	IXYS	获取价格	LinearL2 Power MOSFET w/Extended FBSOA
IXTX60N50L2	LITTELFUSE	获取价格	这些独特的器件专为需要功率MOSFET以在电流饱和区工作的应用，具有低热阻、高功率密度和正
IXTX6N200P3HV	LITTELFUSE	获取价格	Polar3?标准功率MOSFET适用于多种多样的电源开关系统，包括高压电源、电容放电电路
IXTX80N30L2	LITTELFUSE	获取价格	这些独特的器件专为需要功率MOSFET以在电流饱和区工作的应用，具有低热阻、高功率密度和正

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