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IXTX5N250

更新时间： 2024-01-01 06:31:05

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力特 - LITTELFUSE		/
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6页	127K
描述
Power Field-Effect Transistor,

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IXTX5N250 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	PLASTIC, PLUS247, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.74	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	2500 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	2500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	5 A	最大漏极电流 (ID)：	5 A
最大漏源导通电阻：	8.8 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	960 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	20 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXTX5N250 数据手册

Advance Technical Information

High Voltage Power

MOSFET w/ Extended

FBSOA

V_DSS

I_D25

R_DS(on)< 8.8Ω

= 2500V

= 5A

IXTK5N250

IXTX5N250

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Guaranteed FBSOA

TO-264 (IXTK)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25°C to 150°C

2500

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

±30

±40

Tab

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

PLUS247 (IXTX)

T_C= 25°C, Pulse Width Limited by T_JM

I_A

T_C= 25°C

2.5

E_AS

P_D

T_C= 25°C

960

Tab

T_J

-55 to +150

150

°C

T_JM

T_stg

G = Gate

S = Source

= Drain

Tab = Drain

-55 to +150

T_L

T_SOLD

1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s

Plastic Body for 10s

300

260

°C

M_d

F_C

Mounting Torque (TO-264)

Mounting Force (PLUS247)

1.13/10

Nm/lb.in.

N/lb.

Features

20..120 /4.5..27

Weight

TO-264

PLUS247

^zAvalanche Rated

^zFast Intrinsic Diode

^zGuaranteed FBSOA at 75°C

^zLow Package Inductance

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

Min. Typ. Max.

(T_J= 25°C, Unless Otherwise Specified)

Advantages

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 1mA

V_DS= V_GS, I_D= 1mA

V_GS= ±30V, V_DS= 0V

V_DS= 2kV, V_GS= 0V

2500

2.0

Easy to Mount

Space Savings

5.0

±200 nA

I_DSS

50 μA

4 mA

Applications

T_J= 125°C

^zHigh Voltage Power Supplies

^zCapacitor Discharge

^zPulse Circuits

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

8.8

DS100280(08/10)

12 3 4 5 6

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