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IXTX550N055T2

更新时间： 2024-11-05 21:17:47

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力特 - LITTELFUSE		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	184K
描述
Power Field-Effect Transistor,

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IXTX550N055T2 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.76
Base Number Matches：	1

IXTX550N055T2 数据手册

Advance Technical Information

TrenchT2^TMGigaMOS^TM

Power MOSFET

V_DSS= 55V

I_D25= 550A

R_DS(on)≤ 1.6mΩ

IXTK550N055T2

IXTX550N055T2

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-264 (IXTK)

Fast Intrinsic Diode

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 175°C

T_J= 25°C to 175°C, R_GS= 1MΩ

Tab

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

± 20

± 30

PLUS247 (IXTX)

I_D25

I_L(RMS)

I_DM

T_C= 25°C (Chip Capability)

External Lead Current Limit

T_C= 25°C, Pulse Width Limited by T_JM

550

160

1375

I_A

E_AS

T_C= 25°C

200

Tab

P_D

T_C= 25°C

1250

G = Gate

S = Source

= Drain

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +175

175

-55 ... +175

°C

Tab = Drain

Features

T_L

T_SOLD

1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s

Plastic Body for 10s

300

260

°C

^zInternational Standard Packages

^zHigh Current Handling Capability

^zFast Intrinsic Diode

M_d

F_C

Mounting Torque (TO-264)

Mounting Force (PLUS247)

1.13/10

Nm/lb.in.

N/lb.

20..120 /4.5..27

^zAvalanche Rated

Weight

TO-264

PLUS247

Low R_DS(on)

Advantages

Easy to Mount

Space Savings

High Power Density

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.

Applications

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250μA

V_DS= V_GS, I_D= 250μA

V_GS= ± 20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

^zDC-DC Converters and Off-Line UPS

^zPrimary-Side Switch

^zHigh Speed Power Switching

Applications

2.0

4.0

± 200 nA

10 μA

I_DSS

T_J= 150°C

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 100A, Notes 1 & 2

1.6 mΩ

DS100217(11/09)

12 3 4 5 6 7

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