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IXTX6N200P3HV

更新时间： 2024-11-06 14:56:11

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		开关高压脉冲电源开关
页数	文件大小	规格书
6页	209K
描述
Polar3?标准功率MOSFET适用于多种多样的电源开关系统，包括高压电源、电容放电电路、脉冲电路、激光和X射线发生系统、高压自动检测设备和电网的能量吸收应用。凭借通态电压的正温度系数，这种高

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IXTX6N200P3HV 数据手册

Advance Technical Information

High Voltage

Power MOSFET

V_DSS

I_D25

= 2000V

= 6A

IXTX6N200P3HV

R_DS(on) 4.0

N-Channel Enhancement Mode

TO-247PLUS-HV

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25C to 150C

T_J= 25C to 150C, R_GS= 1M

2000

D (Tab)

V_DGR

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

20

30

G = Gate

S = Source

= Drain

Tab = Drain

I_D25

I_DM

T_C= 25C

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

P_D

T_C= 25C

960

T_J

T_JM

T_stg

- 55 ... +150

150

- 55 ... +150

C

Features



High Blocking Voltage

High Voltage Package

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C



M_d

Mounting Force

20..120 / 4.5..27

Nm/lb.in

Advantages

Weight



Easy to Mount

Space Savings



High Power Density

Applications



High Voltage Power Supplies

Capacitor Discharge Applications

Pulse Circuits

Laser and X-Ray Generation Systems



Symbol

Test Conditions

Characteristic Values



(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

2000

3.0

Typ.

Max.



BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250A

V_DS= V_GS, I_D= 250A

V_GS= 20V, V_DS= 0V

V_DS= 0.8 • V_DSS, V_GS= 0V

5.0

100 nA

25 A

I_DSS

T_J= 100C

150

A

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 3A, Note 1

4.0



DS100709(02/16)

12 3 4 5 6

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