IXTK140N20P

更新时间： 2024-11-04 22:11:03

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IXYS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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描述
PolarHT Power MOSFET

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IXTK140N20P 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-264AA	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	8.33
Is Samacsys：	N	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	4000 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	200 V
最大漏极电流 (ID)：	140 A	最大漏源导通电阻：	0.018 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-264AA
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	280 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXTK140N20P 数据手册

Advanced Technical Information

PolarHT^TM

Power MOSFET

V_DSS= 200 V

I_D25= 140 A

R_DS(on)= 18 mΩ

IXTK 140N20P

N-Channel Enhancement Mode

TO-264(SP) (IXTK)

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

= 25°C to 175°C

200

T^J_J= 25°C to 175°C; R_GS= 1 MΩ

V_GSM

I_D25

T_C= 25°C

140

(TAB)

I_D(RMS)

I_DM

External lead current limit

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

280

I_AR

T_C= 25°C

G = Gate

S = Source

D = Drain

TAB = Drain

E_AR

E_AS

T_C= 25°C

100

Features

dv/dt

P_D

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/µs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 4 Ω

V/ns

International standard packages

Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

T_C= 25°C

800

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +175

175

-55 ... +150

°C

Low package inductance

- easy to drive and to protect

T_L

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Mounting torque

300

°C

Advantages

M_d

1.13/10 Nm/lb.in.

Easy to mount

Space savings

Weight

High power density

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

V_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 µA

V_DS= V_GS, I_D= 500µA

V_GS= 20 V_DC, V_DS= 0

200

2.5

5.0

200 nA

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

25 µA

250 µA

T_J= 150°C

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

V_GS= 15 V, I_D= 140A

Pulse test, t ≤ 300 µs, duty cycle d ≤ 2 %

18 mΩ

mΩ

PolarHT^TMDMOStransistors

utilize proprietary designs and

process. US patent is pending.

DS99194(07/04)

12 3 4 5

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXFK140N20P	IXYS	类似代替	PolarHT HiPerFET Power MOSFET

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IXTK150N15P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
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