是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | Transferred |
零件包装代码: | TO-268AA | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
针数: | 4 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.76 |
雪崩能效等级(Eas): | 1500 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 150 V |
最大漏极电流 (ID): | 88 A | 最大漏源导通电阻: | 0.022 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-268AA |
JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 352 A | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
IXTH75N15 | IXYS |
功能相似 |
High Current Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode | |
IXTH88N15 | IXYS |
功能相似 |
High Current Power MOSFET | |
IXFH80N15Q | IXYS |
功能相似 |
HiPerFET Power MOSFETs Q-Class |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXTT88N30P | IXYS |
获取价格 |
PolarHT Power MOSFET | |
IXTT88N30P | LITTELFUSE |
获取价格 |
Polar?标准功率MOSFET经过专门定制,可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡 | |
IXTT8P50 | IXYS |
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Standard Power MOSFET - P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated | |
IXTT8P50 | LITTELFUSE |
获取价格 |
P通道标准功率MOSFET的额定电压范围为-100V至-600V,并采用业内流行的TO-2 | |
IXTT90P10P | IXYS |
获取价格 |
PolarPTM Power MOSFETs | |
IXTT90P10P | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, | |
IXTT96N15P | IXYS |
获取价格 |
N-Channel Enhancement Mode Preliminary Data Sheet | |
IXTT96N15P | LITTELFUSE |
获取价格 |
Polar?标准功率MOSFET经过专门定制,可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡 | |
IXTT96N20P | IXYS |
获取价格 |
N-Channel Engancement Mode | |
IXTT96N20P | LITTELFUSE |
获取价格 |
Polar?标准功率MOSFET经过专门定制,可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡 |