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IXFP50N20X3M

更新时间： 2024-11-21 14:56:15
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE 开关栅栅极
页数 文件大小 规格书
6页 163K
描述
超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，可提供出类拔萃的质量因数（导通电阻乘以栅极电荷），最大限度地降低传导和开关损耗。 该系列产品表现出业内最低的导通电阻。 凭借较低的反向恢复电荷

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IXFP50N20X3M 数据手册

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X3-Class HiPerFETTM  
Power MOSFET  
VDSS = 200V  
ID25 = 50A  
RDS(on) 30m  
IXFP50N20X3M  
D
S
(Electrically Isolated Tab)  
G
N-Channel Enhancement Mode  
OVERMOLDED  
TO-220  
Symbol  
VDSS  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
TJ = 25C to 150C  
200  
200  
V
V
G
Isolated Tab  
D = Drain  
D
VDGR  
TJ = 25C to 150C, RGS = 1M  
S
VGSS  
VGSM  
Continuous  
Transient  
20  
30  
V
V
G = Gate  
S = Source  
ID25  
IDM  
TC = 25C, Limited by TJM  
TC = 25C, Pulse Width Limited by TJM  
50  
70  
A
A
IA  
TC = 25C  
TC = 25C  
25  
A
EAS  
400  
mJ  
dv/dt  
PD  
IS IDM, VDD VDSS, TJ 150°C  
TC = 25C  
50  
34  
V/ns  
W
Features  
International Standard Package  
Plastic Overmolded Tab  
Low RDS(ON) and QG  
Avalanche Rated  
2500V~ Electrical Isolation  
Low Package Inductance  
TJ  
-55 ... +150  
150  
C  
C  
C  
TJM  
Tstg  
-55 ... +150  
TL  
TSOLD  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s  
300  
260  
°C  
°C  
VISOL  
50/60 Hz, 1 Minute  
Mounting Torque  
2500  
V~  
Advantages  
Md  
1.13 / 10  
2.5  
Nm/lb.in  
g
High Power Density  
Easy to Mount  
Weight  
Space Savings  
Applications  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25C, Unless Otherwise Specified)  
Min.  
Typ.  
Max.  
Switch-Mode and Resonant-Mode  
Power Supplies  
DC-DC Converters  
PFC Circuits  
AC and DC Motor Drives  
BVDSS  
VGS(th)  
IGSS  
VGS = 0V, ID = 1mA  
VDS = VGS, ID = 1mA  
VGS = 20V, VDS = 0V  
VDS = VDSS, VGS = 0V  
200  
V
V
2.5  
4.5  
100 nA  
Robotics and Servo Controls  
IDSS  
10 A  
TJ = 125C  
350 A  
RDS(on)  
VGS = 10V, ID = 25A, Note 1  
25  
30 m  
DS100878C(11/19)  
© 2019 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  
123456

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与IXFP50N20X3M相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXFP56N30X3 LITTELFUSE

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 		超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，可提供出类拔萃的质量因数（导通电阻乘
IXFP56N30X3M LITTELFUSE

获取价格

 		超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，可提供出类拔萃的质量因数（导通电阻乘
IXFP5N100P IXYS

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 		Polar Power MOSFET HiPerFET
IXFP5N100P LITTELFUSE

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 		功能与特色: 优点: 应用:
IXFP5N100PM IXYS

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor,
IXFP5N100PM LITTELFUSE

获取价格

 		功能与特色: 优点: 应用:
IXFP5N50P3 LITTELFUSE

获取价格

 		PolarP3? HiPerFET?产品系列是针对300V, 500V至600V产品系列的
IXFP60N25X3 LITTELFUSE

获取价格

 		超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，可提供出类拔萃的质量因数（导通电阻乘
IXFP60N25X3M LITTELFUSE

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 		超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，可提供出类拔萃的质量因数（导通电阻乘
IXFP6N120P IXYS

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 		Polar HiPerFET Power MOSFET

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