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IXFP5N100PM

更新时间： 2024-11-18 19:35:59

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Power Field-Effect Transistor,

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IXFP5N100PM 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	8.28
Base Number Matches：	1

IXFP5N100PM 数据手册

Advance Technical Information

Polar^TMHiPerFET^TM

Power MOSFET

V_DSS= 1000V

I_D25= 2.3A

R_DS(on)≤ 2.8Ω

IXFP5N100PM

(Electrically Isolated Tab)

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

OVERMOLDED

(IXFP...M) OUTLINE

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

1000

V_DGR

Isolated Tab

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

±30

±40

G = Gate

D = Drain

S = Source

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

2.3

T_C= 25°C, Pulse Width Limited by T_JM

I_A

T_C= 25°C

E_AS

300

Features

dv/dt

P_D

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J≤ 150°C

T_C= 25°C

V/ns

Plastic overmolded Tab for Electrical

Isolation

Low R_DS(on)and Q_G

Avalanche Rated

Low Package Inductance

Fast Intrinsic Rectifier

T_J

-55 ... +150

150

°C

T_JM

T_stg

-55 ... +150

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

Plastic Body for 10s

300

260

°C

Advantages

M_d

Mounting Torque

1.13 / 10

2.5

Nm/lb.in.

High Power Density

Easy to Mount

Weight

Space Savings

Applications

Switch-Mode and Resonant-Mode

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

Power Supplies

DC-DC Converters

Laser Drivers

AC and DC Motor Drives

(T_J= 25°C Unless Otherwise Specified)

Min. Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250μA

V_DS= V_GS, I_D= 250μA

V_GS= ± 30V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

1000

3.0

6.0

Robotics and Servo Controls

±100 nA

I_DSS

10 μA

T_J= 125°C

750 μA

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 2.5A, Note 1

2.8

DS100537(5/13)

12 3 4

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