Datasheet > IXFP60N25X3

IXFP60N25X3

更新时间： 2024-11-19 14:56:19

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		开关栅栅极
页数	文件大小	规格书
7页	313K
描述
超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，可提供出类拔萃的质量因数（导通电阻乘以栅极电荷），最大限度地降低传导和开关损耗。该系列产品表现出业内最低的导通电阻。凭借较低的反向恢复电荷

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXFP60N25X3 数据手册

X3-Class HiPerFET^TM

Power MOSFET

V_DSS= 250V

I_D25= 60A

R_DS(on) 23m

IXFA60N25X3

IXFP60N25X3

IXFQ60N25X3

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Fast Intrinsic Diode

TO-263

(IXFA)

D (Tab)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

TO-220

(IXFP)

T_J= 25C to 150C

250

V_DGR

T_J= 25C to 150C, R_GS= 1M

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

20

30

I_D25

I_DM

T_C= 25C

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

D (Tab)

210

TO-3P

(IXFQ)

I_A

T_C= 25C

E_AS

700

dv/dt

P_D

I_S I_DM, V_DD V_DSS, T_J 150°C

T_C= 25C

V/ns

D (Tab)

320

T_J

-55 ... +150

150

C

G = Gate

S = Source Tab = Drain

= Drain

T_JM

T_stg

-55 ... +150

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C

Features

F_C

M_d

Mounting Force (TO-263)

Mounting Torque (TO-220 & TO-3P)

10..65 / 2.2..14.6

1.13 / 10

N/lb

Nm/lb.in



International Standard Packages

Low R_DS(ON)and Q_G

Avalanche Rated

Low Package Inductance



Weight

TO-263

TO-220

TO-3P

2.5

3.0

5.5



Advantages

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values



High Power Density

Easy to Mount

Space Savings

(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.



BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250μA

V_DS= V_GS, I_D= 1.5mA

V_GS= 20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

250



2.5

4.5

Applications

100 nA

A



I_DSS

Switch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

DC-DC Converters

PFC Circuits

AC and DC Motor Drives

T_J= 125C

500 A



R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

23 m



Robotics and Servo Controls

DS100807D(8/19)

12 3 4 5 6 7

中文翻译

下载PDF

与IXFP60N25X3相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFP60N25X3M	LITTELFUSE	获取价格	超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，可提供出类拔萃的质量因数（导通电阻乘
IXFP6N120P	IXYS	获取价格	Polar HiPerFET Power MOSFET
IXFP6N120P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFP72N20X3	LITTELFUSE	获取价格	超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，可提供出类拔萃的质量因数（导通电阻乘
IXFP72N20X3M	LITTELFUSE	获取价格	超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，可提供出类拔萃的质量因数（导通电阻乘
IXFP72N30X3	LITTELFUSE	获取价格	超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，可提供出类拔萃的质量因数（导通电阻乘
IXFP72N30X3M	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFP72N30X3M	LITTELFUSE	获取价格	超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，可提供出类拔萃的质量因数（导通电阻乘
IXFP76N15T2	IXYS	获取价格	TrenchT2 HiperFET Power MOSFET
IXFP76N15T2	LITTELFUSE	获取价格	这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能

与IXFP60N25X3相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

17
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

12
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

42
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

37

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXFP60N25X3

IXFP60N25X3 数据手册

与IXFP60N25X3相关器件

与IXFP60N25X3相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXFP60N25X3

IXFP60N25X3 数据手册

与IXFP60N25X3相关器件

与IXFP60N25X3相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？