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IXFP6N120P

更新时间： 2024-11-19 14:56:15

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力特 - LITTELFUSE		/
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IXFP6N120P 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.44	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	300 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	1200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	6 A	最大漏极电流 (ID)：	6 A
最大漏源导通电阻：	0.0024 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	250 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	18 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON

IXFP6N120P 数据手册

Polar^TMHiPerFET^TM

Power MOSFET

V_DSS= 1200V

I_D25= 6A

R_DS(on) 2.75

IXFA6N120P

IXFP6N120P

IXFH6N120P

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-263 AA (IXFA)

Fast Intrinsic Diode

D (Tab)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

TO-220AB (IXFP)

T_J= 25C to 150C

1200

V_DGR

T_J= 25C to 150C, R_GS= 1M

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

30

40

D (Tab)

I_D25

I_DM

T_C= 25C

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

TO-247 (IXFH)

I_A

T_C= 25C

E_AS

300

dv/dt

P_D

I_S I_DM, V_DD V_DSS, T_J 150C

T_C= 25C

V/ns

250

D (Tab)

T_J

-55 ... +150

150

C

G = Gate

S = Source

= Drain

T_JM

T_stg

Tab = Drain

-55 ... +150

Features

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C

^International Standard Packages

^Dynamic dv/dt Rating

^Avalanche Rated

^Fast Intrinsic Diode

^Low Q_G& R_DS(on)

^Low Drain-to-Tab Capacitance

^Low Package Inductance

F_C

M_d

Mounting Force (TO-263)

Mounting Torque (TO-247 & TO-220)

10..65 / 2.2..14.6

1.13 / 10

N/lb

Nm/lb.in

Weight

TO-263

TO-220

TO-247

2.5

3.0

6.0

Advantages



Easy to Mount

Space Savings

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values



(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

1200

2.5

Typ.

Max.

Applications

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250A

V_DS= V_GS, I_D= 1mA

V_GS= 30V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

5.0

^DC-DC Converters

^Battery Chargers

^Switch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

100 nA

I_DSS

10 A

1 mA

T_J= 125C

^Uninterrupted Power Supplies

^AC Motor Drives

^High Speed Power Switching

Applications

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

2.75



DS100202C(0515)

12 3 4 5 6

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与IXFP6N120P相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFP72N20X3	LITTELFUSE	获取价格	超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，可提供出类拔萃的质量因数（导通电阻乘
IXFP72N20X3M	LITTELFUSE	获取价格	超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，可提供出类拔萃的质量因数（导通电阻乘
IXFP72N30X3	LITTELFUSE	获取价格	超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，可提供出类拔萃的质量因数（导通电阻乘
IXFP72N30X3M	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFP72N30X3M	LITTELFUSE	获取价格	超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，可提供出类拔萃的质量因数（导通电阻乘
IXFP76N15T2	IXYS	获取价格	TrenchT2 HiperFET Power MOSFET
IXFP76N15T2	LITTELFUSE	获取价格	这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能
IXFP7N100P	IXYS	获取价格	Polar HiPerFET Power MOSFET
IXFP7N100P	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 1000V, 1.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IXFP7N60P3	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 600V, 1.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta

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