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力特 - LITTELFUSE | / | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
6页 | 205K | |
描述 | ||
功能与特色: 优点: 应用: |
是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.44 | 其他特性: | AVALANCHE RATED |
雪崩能效等级(Eas): | 300 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 1200 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 6 A | 最大漏极电流 (ID): | 6 A |
最大漏源导通电阻: | 0.0024 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-220AB | JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 250 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 18 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | NO |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXFP72N20X3 | LITTELFUSE |
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超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发,可提供出类拔萃的质量因数(导通电阻乘 | |
IXFP72N20X3M | LITTELFUSE |
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超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发,可提供出类拔萃的质量因数(导通电阻乘 | |
IXFP72N30X3 | LITTELFUSE |
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超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发,可提供出类拔萃的质量因数(导通电阻乘 | |
IXFP72N30X3M | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, | |
IXFP72N30X3M | LITTELFUSE |
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超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发,可提供出类拔萃的质量因数(导通电阻乘 | |
IXFP76N15T2 | IXYS |
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TrenchT2 HiperFET Power MOSFET | |
IXFP76N15T2 | LITTELFUSE |
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这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值,并可提供高达600安培的高电流性能 | |
IXFP7N100P | IXYS |
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Polar HiPerFET Power MOSFET | |
IXFP7N100P | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 1000V, 1.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta | |
IXFP7N60P3 | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 600V, 1.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |