IXFP7N100P

更新时间： 2024-09-15 11:14:03

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IXYS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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描述
Polar HiPerFET Power MOSFET

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IXFP7N100P 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-220AB	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	7.61	Is Samacsys：	N
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	300 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	1000 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	7 A
最大漏极电流 (ID)：	7 A	最大漏源导通电阻：	1.9 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	300 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	18 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXFP7N100P 数据手册

Polar ^TMHiPerFET^TM

Power MOSFET

V_DSS= 1000V

I_D25= 7A

R_DS(on)≤ 1.9Ω

IXFA7N100P

IXFP7N100P

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Fast Intrinsic Rectifier

TO-263 AA (IXFA)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25°C to 150°C

1000

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

±30

±40

D (Tab)

TO-220AB (IXFP)

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C, Pulse Width Limited by T_JM

I_A

T_C= 25°C

E_AS

300

D (Tab)

= Drain

dV/dt

P_D

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J≤ 150°C

T_C= 25°C

V/ns

300

G = Gate

S = Source

Tab = Drain

T_J

-55 ... +150

150

°C

T_JM

T_stg

-55 ... +150

Features

T_L

1.6mm (0.062) from Case for 10s

Plastic Body for 10s

300

260

°C

^zInternational Standard Packages

^zFast Intrinsic Rectifier

^zAvalanche Rated

T_SOLD

M_d

Mounting Torque

(TO-220)

1.13 / 10

Nm/lb.in.

Weight

TO-263

TO-220

2.5

3.0

^zLow R_DS(ON)and Q_G

^zLow Package Inductance

Advantages

^zHigh Power Density

^zEasy to Mount

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.

^zSpace Savings

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250μA

V_DS= V_GS, I_D= 1mA

V_GS= ±30V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

1000

3.0

6.0

Applications

±100 nA

^zSwitch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

I_DSS

15 μA

1.0 mA

^zDC-DC Converters

^zLaser Drivers

T_J= 125°C

^zAC and DC Motor Drives

^zRobotics and Servo Controls

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

1.9

DS99924A(10/09)

12 3 4

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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IXFP7N60P3	LITTELFUSE	获取价格	PolarP3? HiPerFET?产品系列是针对300V, 500V至600V产品系列的
IXFP7N80P	IXYS	获取价格	Polar HiPerFET Power MOSFET
IXFP7N80P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
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