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力特 - LITTELFUSE | / | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
6页 | 292K | |
描述 | ||
功能与特色: 优点: 应用: |
是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.76 | 其他特性: | AVALANCHE RATED |
雪崩能效等级(Eas): | 500 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 800 V |
最大漏极电流 (ID): | 14 A | 最大漏源导通电阻: | 0.72 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 |
JESD-609代码: | e3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXFQ170N15X3 | LITTELFUSE |
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超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发,可提供出类拔萃的质量因数(导通电阻乘 | |
IXFQ20N50P3 | LITTELFUSE |
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PolarP3? HiPerFET?产品系列是针对300V, 500V至600V产品系列的 | |
IXFQ22N60P3 | IXYS |
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Polar3 HiperFET Power MOSFETs | |
IXFQ22N60P3 | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, | |
IXFQ24N50P2 | IXYS |
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PolarP2 HiperFET Power MOSFET | |
IXFQ24N50P2 | LITTELFUSE |
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功能与特色: 优点: 应用: | |
IXFQ24N60X | LITTELFUSE |
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采用快速体二极管的超级结X-Class功率MOSFET是坚固耐用的器件,具有业内最低的导通 | |
IXFQ26N50P3 | LITTELFUSE |
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PolarP3? HiPerFET?产品系列是针对300V, 500V至600V产品系列的 | |
IXFQ26N50Q | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 500V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta | |
IXFQ26N60P | IXYS |
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N-Channel Enhancement Mode Fast Recovery Diode Avalanche Rated |