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IXFQ14N80P

更新时间: 2024-11-19 14:56:19
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力特 - LITTELFUSE /
页数 文件大小 规格书
6页 292K
描述
功能与特色: 优点: 应用:

IXFQ14N80P 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.76其他特性:AVALANCHE RATED
雪崩能效等级(Eas):500 mJ外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:800 V
最大漏极电流 (ID):14 A最大漏源导通电阻:0.72 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e3元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子面层:Matte Tin (Sn)端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

IXFQ14N80P 数据手册

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PolarHVTM HiPerFET  
Power MOSFET  
N-Channel Enhancement Mode  
Avalanche Rated  
IXFH 14N80P  
IXFQ 14N80P  
IXFT 14N80P  
IXFV 14N80P  
IXFV 14N80PS  
VDSS = 800 V  
ID25 = 14 A  
RDS(on) 720 mΩ  
trr 250 ms  
Fast Intrinsic Diode  
TO-247 (IXFH)  
Symbol  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
D (TAB)  
VDSS  
VDGR  
TJ = 25°C to 175°C  
TJ = 25°C to 175°C; RGS = 1 MΩ  
800  
800  
V
V
TO-3P (IXFQ)  
VGS  
VGSM  
Continuous  
Transient  
30  
40  
V
V
G
D
S
ID25  
IDM  
TC = 25°C  
TC = 25°C, pulse width limited by TJM  
14  
40  
A
A
(TAB)  
IAR  
EAR  
EAS  
TC = 25°C  
TC = 25°C  
TC = 25°C  
7
30  
500  
A
mJ  
mJ  
TO-268 (IXFT)  
G
dv/dt  
PD  
IS IDM, di/dt 100 A/μs, VDD VDSS  
TJ 150°C, RG = 5 Ω  
,
10  
V/ns  
S
D (TAB)  
TC = 25°C  
400  
W
PLUS220 (IXFV)  
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 ... +150  
150  
-55 ... +150  
°C  
°C  
°C  
D (TAB)  
G
D
S
TL  
TSOLD  
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s  
Plastic body for 10 s  
300  
260  
°C  
°C  
PLUS220SMD (IXFV...S)  
Md  
Mounting torque (TO-247, TO-3P)  
1.13/10 Nm/lb.in.  
Weight  
PLUS220, PLUS220 SMD  
TO-268, TO-3P  
TO-247  
2
5.5  
6
g
g
g
G
S
D (TAB)  
G = Gate  
D = Drain  
S = Source  
TAB = Drain  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
Features  
(TJ = 25°C, unless otherwise specified)  
Min. Typ.  
Max.  
z International standard packages  
z Unclamped Inductive Switching (UIS)  
rated  
z Low package inductance  
- easy to drive and to protect  
BVDSS  
VGS(th)  
IGSS  
VGS = 0 V, ID = 250μA  
VDS = VGS, ID = 4 mA  
VGS = 30 V, VDS = 0 V  
800  
V
V
3.0  
5.5  
100  
nA  
IDSS  
VDS = VDSS  
VGS = 0 V  
25  
1
μA  
mA  
Advantages  
TJ = 125°C  
z
RDS(on)  
VGS = 10 V, ID = 0.5 ID25  
Pulse test, t 300 μs, duty cycle d 2 %  
720 mΩ  
Easy to mount  
Space savings  
High power density  
z
z
DS99593E(07/06)  
© 2006 IXYS All rights reserved  

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