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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | TO-3P |
| 包装说明： | TO-3P, 3 PIN | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.76 |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级（Eas）： | 750 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 500 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 24 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 24 A | 最大漏源导通电阻： | 0.27 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 480 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 50 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Pure Tin (Sn) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| IXFQ24N60X | LITTELFUSE | 采用快速体二极管的超级结X-Class功率MOSFET是坚固耐用的器件，具有业内最低的导通 |
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| IXFQ26N50P3 | LITTELFUSE | PolarP3? HiPerFET?产品系列是针对300V, 500V至600V产品系列的 |
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| IXFQ26N50Q | IXYS | Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 500V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IXFQ26N60P | IXYS | N-Channel Enhancement Mode Fast Recovery Diode Avalanche Rated |
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| IXFQ28N60P3 | IXYS | Polar3 HiperFET Power MOSFETs |
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| IXFQ28N60P3 | LITTELFUSE | PolarP3? HiPerFET?产品系列是针对300V, 500V至600V产品系列的 |
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