IXFQ24N50P2

更新时间： 2024-11-18 11:14:03

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IXYS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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描述
PolarP2 HiperFET Power MOSFET

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IXFQ24N50P2 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-3P
包装说明：	TO-3P, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.76
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	750 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	500 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	24 A
最大漏极电流 (ID)：	24 A	最大漏源导通电阻：	0.27 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	480 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	50 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Pure Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXFQ24N50P2 数据手册

Advance Technical Information

PolarP2^TMHiperFET^TM

Power MOSFET

V_DSS= 500V

I_D25= 24A

R_DS(on)≤ 270mΩ

t_rr(typ)≤ 200ns

IXFQ24N50P2

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Fast Intrinsic Diode

TO-3P

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

500

Tab

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

± 30

± 40

G = Gate

S = Source

= Drain

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C, Pulse Width Limited by T_JM

Tab = Drain

I_A

E_AS

T_C= 25°C

750

Features

dv/dt

P_D

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J≤ 150°C

T_C= 25°C

V/ns

480

^zAvalanche Rated

^zFast Intrinsic Diode

^zDynamic dv/dt Rated

^zLow Package Inductance

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

Plastic Body for 10s

300

260

°C

Advantages

M_d

Mounting Torque

1.13/10

5.5

Nm/lb.in.

^zHigh Power Density

^zEasy to Mount

^zSpace Savings

Weight

Applications

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

^zSwitch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

(T_J= 25°C, Unless Otherwise Specified)

Min.

500

2.5

Typ.

Max.

^zDC-DC Converters

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250μA

V_DS= V_GS, I_D= 1mA

V_GS= ± 30V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

^zLaser Drivers

^zAC and DC Motor Drives

^zRobotics and Servo Controls

4.5

± 100 nA

I_DSS

25 μA

T_J= 125°C

1 mA

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

270 mΩ

DS100271(06/10)

12 3 4 5

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IXFQ24N50P2 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXTQ22N50P	IXYS	类似代替	PolarHVTM Power MOSFET
IXTQ460P2	IXYS	类似代替	PolarP2â¢ Power MOSFET
IXTH460P2	IXYS	类似代替	PolarP2â¢ Power MOSFET

与IXFQ24N50P2相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFQ24N60X	LITTELFUSE	获取价格	采用快速体二极管的超级结X-Class功率MOSFET是坚固耐用的器件，具有业内最低的导通
IXFQ26N50P3	LITTELFUSE	获取价格	PolarP3? HiPerFET?产品系列是针对300V, 500V至600V产品系列的
IXFQ26N50Q	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 500V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IXFQ26N60P	IXYS	获取价格	N-Channel Enhancement Mode Fast Recovery Diode Avalanche Rated
IXFQ28N60P3	IXYS	获取价格	Polar3 HiperFET Power MOSFETs
IXFQ28N60P3	LITTELFUSE	获取价格	PolarP3? HiPerFET?产品系列是针对300V, 500V至600V产品系列的
IXFQ30N50P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 500V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IXFQ30N60X	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFQ30N60X	LITTELFUSE	获取价格	采用快速体二极管的超级结X-Class功率MOSFET是坚固耐用的器件，具有业内最低的导通
IXFQ34N50P3	LITTELFUSE	获取价格	PolarP3? HiPerFET?产品系列是针对300V, 500V至600V产品系列的

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