Datasheet > IXFQ26N50P3

IXFQ26N50P3

更新时间： 2024-11-03 14:56:55

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		/
页数	文件大小	规格书
7页	383K
描述
PolarP3? HiPerFET?产品系列是针对300V, 500V至600V产品系列的基准高性能Polar系列产品系列的最新成员。其高质量因数(FOM)是Qg的倍数，并在RDS(on)中可替

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXFQ26N50P3 数据手册

Polar3^TMHiperFET^TM

PowerMOSFET

V_DSS= 500V

I_D25= 26A

R_DS(on) 250m

IXFA26N50P3

IXFP26N50P3

IXFQ26N50P3

IXFH26N50P3

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Fast Intrinsic Rectifier

TO-3P (IXFQ)

TO-263 (IXFA)

TO-220 (IXFP)

D (Tab)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

T_J= 25C to 150C

T_J= 25C to 150C, R_GS= 1M

Maximum Ratings

TO-247 (IXFH)

500

V_DGR

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

 30

 40

I_D25

I_DM

T_C= 25C

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

D (Tab)

D = Drain

G = Gate

S = Source

I_A

T_C= 25C

Tab = Drain

E_AS

300

dv/dt

P_D

I_S I_DM, V_DD V_DSS, T_J 150°C

T_C= 25C

V/ns

500

T_J

-55 ... +150

150



C

T_JM

T_stg

Features

-55 ... +150

^Fast Intrinsic Rectifier

^Avalanche Rated

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

Plastic Body for 10s

300

260

°C

^Low R_DS(ON)and Q_G

F_C

M_d

Mounting Force (TO-263)

10..65 / 2.2..14.6

N/lb

Nm/lb.in

^Low Package Inductance

Mounting Torque (TO-220, TO-3P & TO-247)

1.13 / 10

Weight

TO-263

TO-220

TO-3P

2.5

3.0

5.5

6.0

Advantages

TO-247

^High Power Density

^Easy to Mount

^Space Savings

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25C Unless Otherwise Specified)

Min.

500

3.0

Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 1mA

V_DS= V_GS, I_D= 4mA

V_GS= 30V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

Applications

5.0

^Switch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

^DC-DC Converters

          100 nA

I_DSS

25 A

^Laser Drivers

^AC and DC Motor Drives

^Robotics and Servo Controls

T_J= 125C

750 A

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

250 m

DS100457D(6/18)

12 3 4 5 6 7

中文翻译

下载PDF

与IXFQ26N50P3相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFQ26N50Q	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 500V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IXFQ26N60P	IXYS	获取价格	N-Channel Enhancement Mode Fast Recovery Diode Avalanche Rated
IXFQ28N60P3	IXYS	获取价格	Polar3 HiperFET Power MOSFETs
IXFQ28N60P3	LITTELFUSE	获取价格	PolarP3? HiPerFET?产品系列是针对300V, 500V至600V产品系列的
IXFQ30N50P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 500V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IXFQ30N60X	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFQ30N60X	LITTELFUSE	获取价格	采用快速体二极管的超级结X-Class功率MOSFET是坚固耐用的器件，具有业内最低的导通
IXFQ34N50P3	LITTELFUSE	获取价格	PolarP3? HiPerFET?产品系列是针对300V, 500V至600V产品系列的
IXFQ50N50P3	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFQ50N50P3	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,

与IXFQ26N50P3相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

4
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

2
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

23
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

24

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXFQ26N50P3

IXFQ26N50P3 数据手册

与IXFQ26N50P3相关器件

与IXFQ26N50P3相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXFQ26N50P3

IXFQ26N50P3 数据手册

与IXFQ26N50P3相关器件

与IXFQ26N50P3相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？