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IXFQ24N50P2

更新时间： 2024-11-03 14:56:19

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力特 - LITTELFUSE		/
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IXFQ24N50P2 数据手册

Polar2^TMHiperFET^TM

Power MOSFET

V_DSS= 500V

I_D25= 24A

R_DS(on)≤ 270mΩ

IXFQ24N50P2

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Fast Intrinsic Diode

TO-3P

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

500

Tab

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

± 30

± 40

G = Gate

S = Source

= Drain

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C, Pulse Width Limited by T_JM

Tab = Drain

I_A

E_AS

T_C= 25°C

750

dv/dt

P_D

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J≤ 150°C

T_C= 25°C

V/ns

480

Features

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

Fast Intrinsic Diode

Dynamic dv/dt Rating

Avalanche Rated

Low R_DS(ON)and Q_G

Low Package Inductance

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

Plastic Body for 10s

300

260

°C

M_d

Mounting Torque

1.13/10

5.5

Nm/lb.in.

Weight

Advantages

High Power Density

Easy to Mount

Space Savings

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

Applications

(T_J= 25°C, Unless Otherwise Specified)

Min.

500

2.5

Typ.

Max.

Switch-Mode and Resonant-Mode

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250μA

V_DS= V_GS, I_D= 1mA

V_GS= ± 30V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

Power Supplies

DC-DC Converters

Battery Chargers

Uninterrupted Power Supplies

AC and DC Motor Drives

High Speed Power Switching

4.5

± 100 nA

I_DSS

25 μA

1 mA

T_J= 125°C

Application

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

270 mΩ

DS100271A(9/11)

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