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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | TO-3P |
| 包装说明： | TO-3P, 3 PIN | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.76 |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级（Eas）： | 800 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 800 V | 最大漏极电流 (ID)： | 12 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.85 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 36 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| IXFQ140N20X3 | IXYS | Power Field-Effect Transistor, |
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| IXFQ140N20X3 | LITTELFUSE | 超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，可提供出类拔萃的质量因数（导通电阻乘 |
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| IXFQ14N80P | IXYS | PolarHV HiPerFET Power MOSFET |
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| IXFQ14N80P | LITTELFUSE | 功能与特色: 优点: 应用: |
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| IXFQ170N15X3 | LITTELFUSE | 超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，可提供出类拔萃的质量因数（导通电阻乘 |
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| IXFQ20N50P3 | LITTELFUSE | PolarP3? HiPerFET?产品系列是针对300V, 500V至600V产品系列的 |
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