Datasheet > IXFQ12N80P

IXFQ12N80P

更新时间： 2024-11-18 11:14:03

品牌	Logo	应用领域
IXYS		/
页数	文件大小	规格书
5页	171K
描述
PolarHV HiPerFET Power MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXFQ12N80P 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-3P
包装说明：	TO-3P, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.76
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	800 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	800 V	最大漏极电流 (ID)：	12 A
最大漏源导通电阻：	0.85 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	36 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXFQ12N80P 数据手册

PolarHV^TMHiPerFET

Power MOSFET

IXFH12N80P

IXFQ12N80P

IXFV12N80P

IXFV12N80PS

V_DSS= 800 V

I_D2512 A

R_DS(on)≤ 0.85 Ω

≤ 250 ns

t_rr

N-Channel Enhancement Mode

TO-247 (IXFH)

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

800

D (TAB)

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

TO-3P (IXFQ)

V_GS

Continuous

Tranisent

V_GSM

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

D (TAB)

I_AR

T_C= 25°C

PLUS220 (IXFV)

E_AR

E_AS

T_C= 25°C

0.8

dv/dt

P_D

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/μs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 5 Ω

V/ns

T_C= 25°C

360

D (TAB)

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

PLUS220 SMD (IXFV...S)

T_L

T_SOLD

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Plastic body for 10 s

300

260

°C

M_d

Mounting torque (TO-247, TO-3P)

1.13/10 Nm/lb.in.

D (TAB)

F_C

Mounting force (PLUS220,PLUS220SMD) 11..65/2.5..15

N/lb.

G = Gate

S = Source

D = Drain

TAB = Drain

Weight

PLUS220 & PLUS220SMD

4.0

5.5

6.0

T0-3P

TO-247

Features

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

^zInternational standard packages

^zUnclamped Inductive Switching (UIS)

rated

^zLow package inductance

- easy to drive and to protect

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 μA

V_DS= V_GS, I_D= 2.5 mA

V_GS= 30 V, V_DS= 0 V

800

3.0

5.5

100

Advantages

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

250

μA

T_J= 125°C

Easy to mount

Space savings

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25, Note 1

0.85

High power density

DS99476E(07/06)

12 3 4 5

中文翻译

下载PDF

IXFQ12N80P 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXFV12N80P	IXYS	类似代替	PolarHV HiPerFET Power MOSFET
IXFH12N80P	IXYS	类似代替	PolarHV HiPerFET Power MOSFET
IXFV12N80PS	IXYS	功能相似	PolarHV HiPerFET Power MOSFET

与IXFQ12N80P相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFQ140N20X3	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFQ140N20X3	LITTELFUSE	获取价格	超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，可提供出类拔萃的质量因数（导通电阻乘
IXFQ14N80P	IXYS	获取价格	PolarHV HiPerFET Power MOSFET
IXFQ14N80P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFQ170N15X3	LITTELFUSE	获取价格	超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，可提供出类拔萃的质量因数（导通电阻乘
IXFQ20N50P3	LITTELFUSE	获取价格	PolarP3? HiPerFET?产品系列是针对300V, 500V至600V产品系列的
IXFQ22N60P3	IXYS	获取价格	Polar3 HiperFET Power MOSFETs
IXFQ22N60P3	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFQ24N50P2	IXYS	获取价格	PolarP2 HiperFET Power MOSFET
IXFQ24N50P2	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:

与IXFQ12N80P相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

18
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

12
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

43
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

38

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXFQ12N80P

IXFQ12N80P 技术参数

IXFQ12N80P 数据手册

IXFQ12N80P 替代型号

与IXFQ12N80P相关器件

与IXFQ12N80P相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXFQ12N80P

IXFQ12N80P 技术参数

IXFQ12N80P 数据手册

IXFQ12N80P 替代型号

与IXFQ12N80P相关器件

与IXFQ12N80P相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？