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IXFQ170N15X3

更新时间: 2024-11-19 14:56:11
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE 开关栅极
页数 文件大小 规格书
7页 349K
描述
超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发,可提供出类拔萃的质量因数(导通电阻乘以栅极电荷),最大限度地降低传导和开关损耗。 该系列产品表现出业内最低的导通电阻。 凭借较低的反向恢复电荷

IXFQ170N15X3 数据手册

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Advance Technical Information  
X3-Class HiPerFETTM  
Power MOSFET  
VDSS = 150V  
ID25 = 170A  
RDS(on) 6.7m  
IXFT170N15X3HV  
IXFQ170N15X3  
IXFH170N15X3  
N-Channel Enhancement Mode  
Avalanche Rated  
TO-268HV (IXFT..HV)  
G
S
D (Tab)  
Symbol  
VDSS  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
TO-3P (IXFQ)  
TJ = 25C to 150C  
150  
150  
V
V
VDGR  
TJ = 25C to 150C, RGS = 1M  
VGSS  
VGSM  
Continuous  
Transient  
20  
30  
V
V
G
D
S
ID25  
IL(RMS)  
IDM  
TC = 25C  
External Lead Current Limit  
TC = 25C, Pulse Width Limited by TJM  
170  
160  
340  
A
A
A
D (Tab)  
TO-247 (IXFH)  
IA  
TC = 25C  
TC = 25C  
85  
A
J
EAS  
1.7  
dv/dt  
PD  
IS IDM, VDD VDSS, TJ 150°C  
TC = 25C  
20  
V/ns  
W
G
D
520  
S
D (Tab)  
D = Drain  
TJ  
-55 ... +150  
150  
C  
C  
C  
G = Gate  
S = Source  
TJM  
Tstg  
Tab = Drain  
-55 ... +150  
TL  
TSOLD  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s  
300  
260  
°C  
°C  
Features  
Md  
Mounting Torque (TO-247 & TO-3P)  
1.13 / 10  
Nm/lb.in  
International Standard Packages  
Low RDS(ON) and QG  
Avalanche Rated  
Weight  
TO-268HV  
TO-3P  
TO-247  
4.0  
5.5  
6.0  
g
g
g
Low Package Inductance  
Advantages  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25C, Unless Otherwise Specified)  
Min.  
Typ.  
Max.  
High Power Density  
Easy to Mount  
Space Savings  
BVDSS  
VGS(th)  
IGSS  
VGS = 0V, ID = 1mA  
VDS = VGS, ID = 4mA  
VGS = 20V, VDS = 0V  
VDS = VDSS, VGS = 0V  
150  
V
V
2.5  
4.5  
100 nA  
Applications  
IDSS  
10 A  
300 A  
Switch-Mode and Resonant-Mode  
Power Supplies  
DC-DC Converters  
PFC Circuits  
AC and DC Motor Drives  
Robotics and Servo Controls  
TJ = 125C  
RDS(on)  
VGS = 10V, ID = 0.5 ID25, Note 1  
5.7  
6.7 m  
DS100855B(10/17)  
© 2017 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  

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