IXFQ10N80P

更新时间： 2024-11-02 11:14:03

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IXYS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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5页	148K
描述
PolarHV HiPerFET Power MOSFET

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IXFQ10N80P 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-3P	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.76	Is Samacsys：	N
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	600 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	800 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	10 A
最大漏极电流 (ID)：	10 A	最大漏源导通电阻：	1.1 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	300 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	30 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXFQ10N80P 数据手册

PolarHV^TMHiPerFET

Power MOSFET

IXFA10N80P

IXFP10N80P

IXFQ10N80P

IXFH10N80P

V_DSS= 800V

I_D25= 10A

R_DS(on)≤ 1.1Ω

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

t_rr

≤ 250ns

Fast Intrinsic Diode

TO-220AB (IXFP)

TO-3P (IXFQ)

TO-263 AA (IXFA)

D (TAB)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

TO-247 (IXFH)

T_J= 25°C to 150°C

800

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

±30

±40

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C, Pulse Width Limited by T_JM

D (TAB)

I_A

T_C= 25°C

G = Gate

S = Source

= Drain

TAB = Drain

E_AS

600

dV/dt

P_D

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J≤ 150°C

T_C= 25°C

V/ns

300

Features

T_J

-55 ... +150

150

°C

^zInternational Standard Packages

^zAvalanche Rated

^zLow Package Inductance

^zEasy to Drive and to Protect

T_JM

T_stg

-55 ... +150

T_L

1.6mm (0.062) from Case for 10s

Plastic Body for 10s

300

260

°C

T_SOLD

Advantages

M_d

Mounting Torque

(TO-220,TO-247)

1.13 / 10

Nm/lb.in.

Weight

TO-263

TO-220

TO-3P

2.5

3.0

5.5

6.0

Easy to Mount

Space Savings

High Power Density

TO-247

Applications

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

^zSwitched-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

(T_J= 25°C Unless Otherwise Specified)

Min.

800

3.0

Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250μA

V_DS= V_GS, I_D= 2.5mA

V_GS= ± 30V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

^zDC-DC Converters

^zLaser Drivers

^zAC and DC Motor Drives

^zRobotics and Servo Controls

5.5

±100 nA

I_DSS

25 μA

T_J= 150°C

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

500 μA

R_DS(on)

1.1

DS99432F(08/09)

12 3 4 5

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXFP10N80P	IXYS	类似代替	PolarHV HiPerFET Power MOSFET
IXFH10N80P	IXYS	功能相似	PolarHV HiPerFET Power MOSFET
IXFA10N80P	IXYS	功能相似	PolarHV HiPerFET Power MOSFET

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFQ120N25X3	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFQ120N25X3	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFQ12N80P	IXYS	获取价格	PolarHV HiPerFET Power MOSFET
IXFQ140N20X3	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFQ140N20X3	LITTELFUSE	获取价格	超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，可提供出类拔萃的质量因数（导通电阻乘
IXFQ14N80P	IXYS	获取价格	PolarHV HiPerFET Power MOSFET
IXFQ14N80P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFQ170N15X3	LITTELFUSE	获取价格	超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，可提供出类拔萃的质量因数（导通电阻乘
IXFQ20N50P3	LITTELFUSE	获取价格	PolarP3? HiPerFET?产品系列是针对300V, 500V至600V产品系列的
IXFQ22N60P3	IXYS	获取价格	Polar3 HiperFET Power MOSFETs

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