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IXFP60N25X3M

更新时间： 2024-11-19 14:56:55

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		开关栅栅极
页数	文件大小	规格书
6页	160K
描述
超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，可提供出类拔萃的质量因数（导通电阻乘以栅极电荷），最大限度地降低传导和开关损耗。该系列产品表现出业内最低的导通电阻。凭借较低的反向恢复电荷

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IXFP60N25X3M 数据手册

X3-Class HiPerFET^TM

Power MOSFET

V_DSS= 250V

I_D25= 60A

R_DS(on) 23m

IXFP60N25X3M

(Electrically Isolated Tab)

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

OVERMOLDED

TO-220

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25C to 150C

250

Isolated Tab

D = Drain

V_DGR

T_J= 25C to 150C, R_GS= 1M

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

20

30

G = Gate

S = Source

I_D25

I_DM

T_C= 25C, Limited by T_JM

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

210

I_A

T_C= 25C

E_AS

700

Features

dv/dt

P_D

I_S I_DM, V_DD V_DSS, T_J 150°C

T_C= 25C

V/ns



International Standard Package

Plastic Overmolded Tab

Low R_DS(ON)and Q_G



T_J

-55 ... +150

150

C

T_JM

T_stg

Avalanche Rated

-55 ... +150



2500V~ Electrical Isolation

Low Package Inductance

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C

V_ISOL

50/60 Hz, 1 Minute

Mounting Torque

2500

Advantages

M_d

1.13 / 10

2.5

Nm/lb.in



High Power Density

Easy to Mount



Weight



Space Savings

Applications

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values



Switch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

DC-DC Converters

PFC Circuits

AC and DC Motor Drives

Robotics and Servo Controls

(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250μA

V_DS= V_GS, I_D= 1.5mA

V_GS= 20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

250



2.5

4.5

100 nA

A

I_DSS

T_J= 125C

500 A

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

23 m

DS100824D(8/19)

12 3 4 5 6

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IXFP72N20X3	LITTELFUSE	获取价格	超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，可提供出类拔萃的质量因数（导通电阻乘
IXFP72N20X3M	LITTELFUSE	获取价格	超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，可提供出类拔萃的质量因数（导通电阻乘
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