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IXFP72N30X3

更新时间： 2024-03-25 22:02:01

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		开关栅栅极
页数	文件大小	规格书
7页	310K
描述
超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，可提供出类拔萃的质量因数（导通电阻乘以栅极电荷），最大限度地降低传导和开关损耗。该系列产品表现出业内最低的导通电阻。凭借较低的反向恢复电荷

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X3-Class HiPerFET^TM

Power MOSFET

V_DSS= 300V

I_D25= 72A

R_DS(on) 19m

IXFP72N30X3

IXFQ72N30X3

IXFH72N30X3

N-Channel Enhancement Mode

Avalance Rated

D

S

TO-220

(IXFP)

G

G

D

S

D (Tab)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

TO-3P

(IXFQ)

T_J= 25C to 150C

300

300

V

V

V_DGR

T_J= 25C to 150C, R_GS= 1M

G

D

S

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

20

30

V

V

D (Tab)

I_D25

I_DM

T_C= 25C

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

72

A

A

TO-247

(IXFH)

150

I_A

T_C= 25C

T_C= 25C

36

1

A

J

E_AS

G

dv/dt

P_D

I_S I_DM, V_DD V_DSS, T_J 150°C

T_C= 25C

20

V/ns

W

D

D (Tab)

S

390

G = Gate

D

= Drain

S = Source

Tab = Drain

T_J

-55 ... +150

150

C

C

C

T_JM

T_stg

-55 ... +150

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C

°C

Features

M_d

Mounting Torque

1.13 / 10

Nm/lb.in



International Standard Packages

Low R_DS(ON)and Q_G

Avalanche Rated







Weight

TO-220

TO-3P

TO-247

3.0

5.5

6.0

g

g

g

Low Package Inductance

Advantages



High Power Density

Easy to Mount

Space Savings

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values



(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.



BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250μA

V_DS= V_GS, I_D= 1.5mA

V_GS= 20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

300

V

V

Applications

2.5

4.5



Switch-Mode and Resonant-Mode

100 nA

A

Power Supplies

DC-DC Converters

PFC Circuits

AC and DC Motor Drives



I_DSS

5



T_J= 125C

750 A





R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

15

19 m

Robotics and Servo Controls

DS100853C(11/19)

© 2019 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved

12 3 4 5 6 7

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
IXFP72N30X3M	IXYS	Power Field-Effect Transistor,	获取价格
IXFP72N30X3M	LITTELFUSE	超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，可提供出类拔萃的质量因数（导通电阻乘	获取价格
IXFP76N15T2	IXYS	TrenchT2 HiperFET Power MOSFET	获取价格
IXFP76N15T2	LITTELFUSE	这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能	获取价格
IXFP7N100P	IXYS	Polar HiPerFET Power MOSFET	获取价格
IXFP7N100P	LITTELFUSE	Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 1000V, 1.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta	获取价格

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