型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXFP72N30X3M | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, | |
IXFP72N30X3M | LITTELFUSE |
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超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发,可提供出类拔萃的质量因数(导通电阻乘 | |
IXFP76N15T2 | IXYS |
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TrenchT2 HiperFET Power MOSFET | |
IXFP76N15T2 | LITTELFUSE |
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这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值,并可提供高达600安培的高电流性能 | |
IXFP7N100P | IXYS |
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Polar HiPerFET Power MOSFET | |
IXFP7N100P | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 1000V, 1.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta | |
IXFP7N60P3 | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 600V, 1.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta | |
IXFP7N60P3 | LITTELFUSE |
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PolarP3? HiPerFET?产品系列是针对300V, 500V至600V产品系列的 | |
IXFP7N80P | IXYS |
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Polar HiPerFET Power MOSFET | |
IXFP7N80P | LITTELFUSE |
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功能与特色: 优点: 应用: |