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IXFP4N85X

更新时间： 2024-09-15 20:59:35

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5页	248K
描述
Power Field-Effect Transistor,

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IXFP4N85X 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	8.36
Base Number Matches：	1

IXFP4N85X 数据手册

Advance Technical Information

X-Class HiPERFET

Power MOSFET

V_DSS= 850V

I_D25= 3.5A

R_DS(on) 2.5

IXFY4N85X

IXFA4N85X

IXFP4N85X

N-Channel Enhancement Mode

TO-252 (IXFY)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

D (Tab)

T_J= 25C to 150C

850

TO-263 (IXFA)

V_DGR

T_J= 25C to 150C, R_GS= 1M

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

30

40

I_D25

I_DM

T_C= 25C

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

3.5

D (Tab)

10.0

TO-220 (IXFP)

I_A

T_C= 25C

E_AS

125

dv/dt

P_D

I_S I_DM, V_DD V_DSS, T_J 150°C

T_C= 25C

V/ns

150

D (Tab)

T_J

-55 ... +150

150

C

T_JM

T_stg

G = Gate

= Drain

S = Source

Tab = Drain

-55 ... +150

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C

Features

F_C

M_d

Mounting Force (TO-263)

Mounting Torque (TO-220)

10.65 / 2.2..14.6

1.13 / 10

N/lb

Nm/lb.in



International Standard Packages

Low R_DS(ON)and Q_G

Avalanche Rated



Weight

TO-252

TO-263

TO-220

0.35

2.50

3.00

Low Package Inductance

Advantages

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values



High Power Density

Easy to Mount

Space Savings

(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.



BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250μA

V_DS= V_GS, I_D= 250μA

V_GS= 30V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

850



3.0

5.5

Applications

100 nA

A



I_DSS

Switch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

DC-DC Converters

PFC Circuits

AC and DC Motor Drives

T_J= 125C

500 A



R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 2A, Note 1

2.5 



Robotics and Servo Controls

DS100768(12/16)

12 3 4 5

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