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IXFP5N100P

更新时间： 2024-11-05 11:14:03

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描述
Polar Power MOSFET HiPerFET

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IXFP5N100P 数据手册

Preliminary Technical Information

Polar^TMPower MOSFET

IXFA5N100P

IXFH5N100P

IXFP5N100P

V_DSS= 1000V

I_D25= 5A

R_DS(on)≤ 2.8Ω

HiPerFET^TM

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Fast Intrinsic Diode

TO-263 (IXFA)

(TAB)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25°C to 150°C

1000

TO-247 (IXFH)

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

±30

±40

(TAB)

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

I_A

T_C= 25°C

TO-220 (IXFP)

E_AS

300

dV/dt

P_D

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J≤ 150°C

T_C= 25°C

V/ns

250

T_J

-55 ... +150

150

°C

(TAB)

T_JM

T_stg

-55 ... +150

G = Gate

S = Source

= Drain

TAB = Drain

T_L

1.6mm (0.062) from case for 10s

Plastic body for 10s

300

260

°C

T_SOLD

Features

M_d

Mounting torque

(TO-220,TO-247)

1.13 / 10

Nm/lb.in.

^zInternational standard packages

^zDynamic dv/dt Rating

^zAvalanche Rated

^zLow R_DS(ON), rugged Polar^TMprocess

^zLow Q_G

^zLow Drain-to-Tab capacitance

^zLow package inductance

Weight

TO-263

TO-220

TO-247

2.5

3.0

6.0

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

Advantages

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

Easy to mount

Space savings

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250μA

V_DS= V_GS, I_D= 250μA

V_GS= ±30V, V_DS= 0V

1000

3.0

6.0

Applications:

±100 nA

^zDC-DC converters

^zBattery chargers

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0V

10 μA

750 μA

^zSwitched-mode and resonant-mode

power supplies

T_J= 125°C

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

2.8

^zUninterrupted power supplies

^zAC motor control

^zHigh speed power switching

applications

DS99923(07/08)

12 3 4

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFP5N100PM	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFP5N100PM	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFP5N50P3	LITTELFUSE	获取价格	PolarP3? HiPerFET?产品系列是针对300V, 500V至600V产品系列的
IXFP60N25X3	LITTELFUSE	获取价格	超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，可提供出类拔萃的质量因数（导通电阻乘
IXFP60N25X3M	LITTELFUSE	获取价格	超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，可提供出类拔萃的质量因数（导通电阻乘
IXFP6N120P	IXYS	获取价格	Polar HiPerFET Power MOSFET
IXFP6N120P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFP72N20X3	LITTELFUSE	获取价格	超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，可提供出类拔萃的质量因数（导通电阻乘
IXFP72N20X3M	LITTELFUSE	获取价格	超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，可提供出类拔萃的质量因数（导通电阻乘
IXFP72N30X3	LITTELFUSE	获取价格	超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，可提供出类拔萃的质量因数（导通电阻乘

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