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IXFN74N100X

更新时间： 2024-09-17 14:56:23

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力特 - LITTELFUSE		高电压电源栅二极管
页数	文件大小	规格书
7页	322K
描述
采用快速体二极管的超级结X-Class功率MOSFET是坚固耐用的器件，具有业内最低的导通电阻，因此能够在高电压电源转换应用中实现高功率密度。这种器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，具有低栅

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IXFN74N100X 数据手册

Advance Technical Information

X-Class HiPerFET^TM

Power MOSFET

V_DSS= 1000V

I_D25= 74A

IXFN74N100X

R_DS(on) 66m

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

miniBLOC, SOT-227

E153432

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25C to 150C

T_J= 25C to 150C, R_GS= 1M

1000

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

 30

 40

I_D25

I_DM

T_C= 25C

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

150

G = Gate

D = Drain

S = Source

I_A

E_AS

T_C= 25C

P_D

T_C= 25C

1170

dv/dt

I_S I_DM, V_DD V_DSS, T_J 150°C

V/ns

Features

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

C



International Standard Package

miniBLOC, with Aluminium Nitride

Isolation



V_ISOL

50/60 Hz, RMS

I_ISOL 1mA

t = 1 minute

t = 1 second

2500

3000



Isolation Voltage 2500V~

High Current Handling Capability

Avalanche Rated

M_d

Mounting Torque

Terminal Connection Torque

1.5/13

1.3/11.5

Nm/lb.in

Low R_DS(on)

Weight

Advantages



High Power Density

Easy to Mount

Space Savings



Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25C Unless Otherwise Specified)

Min.

1000

3.5

Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 3mA

V_DS= V_GS, I_D= 8mA

V_GS=  30V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

Applications

5.5



Switch-Mode and Resonant-Mode

200 nA

50 A

Power Supplies



DC-DC Converters

PFC Circuits

AC and DC Motor Drives

Robotics and Servo Controls

I_DSS



T_J= 125C



R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 37A, Note 1

66 m

DS100957A(3/19)

12 3 4 5 6 7

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