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IXFN75N50

更新时间： 2024-11-20 22:18:35

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描述
HiPerFET Power MOSFETs Single Die MOSFET

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IXFN75N50 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	包装说明：	MINIBLOC-4
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.82	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	6000 mJ	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	75 A	最大漏极电流 (ID)：	75 A
最大漏源导通电阻：	0.55 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PUFM-X4	元件数量：	1
端子数量：	4	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	700 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	300 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Nickel (Ni)
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON

IXFN75N50 数据手册

HiPerFET^TM

V_DSS

I_D25

R_DS(on)

IXFN 80N50

500 V 80 A

500 V 75 A

50 mΩ

55 mΩ

Power MOSFETs

Single Die MOSFET

IXFN 75N50

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated, High dv/dt, Low t

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

miniBLOC,SOT-227B(IXFN)

E153432

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

500

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

V_GS

Continuous

Transient

±20

±30

V_GSM

I_D25

I_DM

I_AR

T_C= 25°C, Chip capability

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

T_C= 25°C

75N50

80N50

75N50

80N50

300

320

G = Gate

D = Drain

S = Source

Either Source terminal of miniBLOC can be used

as Main or Kelvin Source

E_AR

T_C= 25°C

E_AS

Features

dv/dt

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/µs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 2 Ω

V/ns

• Internationalstandardpackages

• miniBLOC, withAluminiumnitride

isolation

• Low R_{DS (on)}HDMOS^TMprocess

P_D

T_C= 25°C

700

T_J

-55 ... +150

150

°C

T_JM

T_stg

• Ruggedpolysilicongatecellstructure

-55 ... +150

• UnclampedInductiveSwitching(UIS)

rated

V_ISOL

M_d

50/60 Hz, RMS

I_ISOL≤ 1 mA

t = 1 min

t = 1 s

2500

3000

• Lowpackageinductance

• FastintrinsicRectifier

Mounting torque

Terminal connection torque

1.5/13 Nm/lb.in.

Weight

Applications

• DC-DC converters

• Batterychargers

• Switched-modeandresonant-mode

power supplies

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

V_DSS

V_GS= 0 V, I_D= 3 mA

V_DS= V_GS, I_D= 8 mA

500

• DC choppers

• Temperatureandlightingcontrols

V_GH(th)

I_GSS

I_DSS

V_GS= ±20 V_DC, V_DS= 0

±200 nA

100 µA

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

Advantages

• Easy to mount

• Space savings

• High power density

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

Pulse test, t ≤ 300 µs,

duty cycle d ≤ 2 %

80N50

75N50

50 mΩ

55 mΩ

98538C (02/02)

12 3 4

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