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IXFN72N55Q2

更新时间： 2024-11-17 21:55:39

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IXYS		/
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4页	562K
描述
HiPerFET Power MOSFET

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IXFN72N55Q2 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	包装说明：	MINIBLOC-4
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.74	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	5000 mJ	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	550 V
最大漏极电流 (ID)：	72 A	最大漏源导通电阻：	0.072 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PUFM-X4
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	288 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	Nickel (Ni)	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXFN72N55Q2 数据手册

HiPerFET^TM

Power MOSFET

V_DSS= 550 V

I_D25= 72 A

IXFN 72N55Q2

t_rr

_DS(on)= 72 mΩ

≤ 250 ns

N-ChannelEnhancementMode

Avalanche Rated, Low Q_g, Low Intrinsic R_g

High dV/dt, Low t_rr

Preliminary Data Sheet

miniBLOC, SOT-227 B (IXFN)

E153432

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

= 25°C to 150°C

550

T^J_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

V_GS

V_GSM

Continuous

Transient

I_D25

I_DM

I_AR

= 25°C

288

T^C= 25°C, pulse width limited by T_JM

G = Gate

S = Source

D = Drain

T^C_C= 25°C

Either Source terminal at miniBLOC can be used

as Main or Kelvin Source

E_AR

E_AS

= 25°C

5.0

T^C_C= 25°C

dv/dt

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/µs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 2 Ω

V/ns

Features

•Double metal process for low

gate resistance

•miniBLOC, with Aluminium nitride

isolation

•Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

•Low package inductance

P_D

T_J

T_C= 25°C

890

-55 ... +150

°C

T_JM

T_stg

150

-55 ... +150

°C

V_ISOL

M_d

50/60 Hz, RMS, t = 1 minute

2500

Mounting torque

Terminal connection torque

1.5/13 Nm/lb.in.

•Fast intrinsic Rectifier

Weight

Applications

•DC-DC converters

•Switched-mode and resonant-mode

power supplies

•DC choppers

Symbol

V_DSS

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

•Pulse generators

V_GS= 0 V, I_D= 1mA

550

2.5

V _{G S ( t h )}

I_GSS

V_DS= V_GS, I_D= 8mA

V_GS= 30 V, V_DS= 0

5.0

Advantages

•Easy to mount

•Space savings

•High power density

200 nA

I_DSS

= V

T = 25°C

T_J^J= 125°C

100 µA

V_G^D_S^S= 0^DV^SS

5 mA

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 • I_D25

Note 1

72 mΩ

DS99030B(10/03)

12 3 4

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IXFN72N55Q2 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXFN80N60P3	IXYS	类似代替	Power Field-Effect Transistor, 66A I(D), 600V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXFN80N60P3	LITTELFUSE	功能相似	Power Field-Effect Transistor,

与IXFN72N55Q2相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFN73N30	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs
IXFN73N30	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用: 优点:
IXFN73N30Q	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs Q-Class
IXFN74N100X	LITTELFUSE	获取价格	采用快速体二极管的超级结X-Class功率MOSFET是坚固耐用的器件，具有业内最低的导通
IXFN75N50	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs Single Die MOSFET
IXFN80N48	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs Single Die MOSFET
IXFN80N50	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs Single Die MOSFET
IXFN80N50	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用: 优点:
IXFN80N50P	IXYS	获取价格	PolarHV HiPerFET Power MOSFET
IXFN80N50P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:

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