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IXFN66N85X

更新时间： 2024-11-06 20:49:31

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力特 - LITTELFUSE		/
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6页	135K
描述
Power Field-Effect Transistor,

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IXFN66N85X 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.73
Base Number Matches：	1

IXFN66N85X 数据手册

Advance Technical Information

X-Class HiPerFET^TM

Power MOSFET

V_DSS= 850V

I_D25= 65A

R_DS(on) 65m

IXFN66N85X

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Fast Intrinsic Diode

miniBLOC, SOT-227

E153432

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25C to 150C

T_J= 25C to 150C, R_GS= 1M

850

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

 30

 40

I_D25

I_DM

T_C= 25C

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

140

G = Gate

D = Drain

S = Source

I_A

E_AS

T_C= 25C

2.5

P_D

T_C= 25C

830

dv/dt

I_S I_DM, V_DD V_DSS, T_J 150°C

V/ns

Features

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

C



International Standard Package

miniBLOC, with Aluminium Nitride

Isolation

Isolation Voltage 2500 V~

High Current Handling Capability

Fast Intrinsic Diode



V_ISOL

50/60 Hz, RMS

I_ISOL 1mA

t = 1 minute

t = 1 second

2500

3000



M_d

Mounting Torque

Terminal Connection Torque

1.5/13

1.3/11.5

Nm/lb.in



Avalanche Rated

Weight

Low R_DS(on)

Advantages



High Power Density

Easy to Mount

Space Savings



Symbol

Test Conditions

Characteristic Values



(T_J= 25C Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 1mA

V_DS= V_GS, I_D= 8mA

V_GS=  30V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

850

Applications

3.5

5.5



Switch-Mode and Resonant-Mode

100 nA

50 A

Power Supplies



I_DSS

DC-DC Converters

PFC Circuits

AC and DC Motor Drives

Robotics and Servo Controls



T_J= 125C



R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 33A, Note 1

65 m



DS100715(4/16)

12 3 4 5 6

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