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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.83 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED, UL RECOGNIZED | 雪崩能效等级（Eas）： | 1500 mJ |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 1100 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 25 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 25 A | 最大漏源导通电阻： | 0.36 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PUFM-X4 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 695 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 75 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Nickel (Ni) | 端子形式： | UNSPECIFIED |
| 端子位置： | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| APT26M100JCU3 | MICROSEMI |
功能相似  |
ISOTOP® Buck chopper MOSFET + SiC chopper dio |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXFN30N120P | IXYS |
获取价格 |
Polar Power MOSFET HiPerFET |
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| IXFN30N120P | LITTELFUSE |
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功能与特色: 优点: 应用: |
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| IXFN320N17T2 | IXYS |
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GigaMOS TrenchT2 HiperFET Power MOSFET |
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| IXFN320N17T2 | LITTELFUSE |
获取价格 |
这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能 |
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| IXFN32N100P | IXYS |
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Polar Power MOSFET HiPerFET |
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| IXFN32N100P | LITTELFUSE |
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功能与特色: 优点: 应用: |
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| IXFN32N100Q3 | LITTELFUSE |
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Q3级系列功率MOSFET为最终用户提供具有一流功率开关性能、出色热特性、强大器件耐用性和 |
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| IXFN32N120 | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET Power MOSFETs |
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| IXFN32N120 | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 应用: 优点: |
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| IXFN32N120P | IXYS |
获取价格 |
Polar HiPerFET Power MOSFET |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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