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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | ISOTOP | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.7 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | AVALANCHE RATED |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 1000 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 26 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 26 A | 最大漏源导通电阻： | 0.396 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PUFM-X4 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 543 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 140 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | UNSPECIFIED |
| 端子位置： | UPPER | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IXFN30N110P | IXYS |
功能相似  |
Polar Power MOSFET HiPerFET |
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| APT26M100JCU2 | MICROSEMI |
功能相似 |
ISOTOP? Boost chopper MOSFET + SiC chopper diode Power module |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| APT26M100JCU3-Module | MICROCHIP |
获取价格 |
MOSFETsLow RDSonLow input and Miller capacitanceLow gate chargeAvalanche energy ratedVery |
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| APT27 | BCDSEMI |
获取价格 |
HIGH VOLTAGE NPN TRANSISTOR |
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| APT27GA90BD15 | MICROSEMI |
获取价格 |
High Speed PT IGBT |
|
| APT27GA90K | MICROSEMI |
获取价格 |
High Speed PT IGBT |
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| APT27GA90SD15 | MICROSEMI |
获取价格 |
High Speed PT IGBT |
|
| APT27H | BCDSEMI |
获取价格 |
HIGH VOLTAGE NPN TRANSISTOR |
|
| APT27HZ-G1 | BCDSEMI |
获取价格 |
HIGH VOLTAGE NPN TRANSISTOR |
|
| APT27HZTR-G1 | BCDSEMI |
获取价格 |
HIGH VOLTAGE NPN TRANSISTOR |
|
| APT27Z-G1 | BCDSEMI |
获取价格 |
HIGH VOLTAGE NPN TRANSISTOR |
|
| APT27ZTR-G1 | BCDSEMI |
获取价格 |
HIGH VOLTAGE NPN TRANSISTOR |
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