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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-247AD |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 2.27 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 48 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 900 V | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| JEDEC-95代码： | TO-247AD | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称断开时间 (toff)： | 281 ns |
| 标称接通时间 (ton)： | 18 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| APT27GA90K | MICROSEMI |
获取价格 |
High Speed PT IGBT |
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| APT27GA90SD15 | MICROSEMI |
获取价格 |
High Speed PT IGBT |
|
| APT27H | BCDSEMI |
获取价格 |
HIGH VOLTAGE NPN TRANSISTOR |
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| APT27HZ-G1 | BCDSEMI |
获取价格 |
HIGH VOLTAGE NPN TRANSISTOR |
|
| APT27HZTR-G1 | BCDSEMI |
获取价格 |
HIGH VOLTAGE NPN TRANSISTOR |
|
| APT27Z-G1 | BCDSEMI |
获取价格 |
HIGH VOLTAGE NPN TRANSISTOR |
|
| APT27ZTR-G1 | BCDSEMI |
获取价格 |
HIGH VOLTAGE NPN TRANSISTOR |
|
| APT28F60B | MICROSEMI |
获取价格 |
N-Channel FREDFET |
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| APT28F60B_09 | MICROSEMI |
获取价格 |
N-Channel FREDFET |
|
| APT28F60S | MICROSEMI |
获取价格 |
N-Channel FREDFET |
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