品牌 | Logo | 应用领域 |
力特 - LITTELFUSE | / | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
5页 | 157K | |
描述 | ||
功能与特色: 优点: 应用: |
是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4 | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.76 | Is Samacsys: | N |
其他特性: | UL RECOGNIZED, AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级(Eas): | 2000 mJ |
外壳连接: | ISOLATED | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 1200 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 30 A |
最大漏极电流 (ID): | 30 A | 最大漏源导通电阻: | 0.35 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | R-PUFM-X4 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 4 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 890 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 75 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Nickel (Ni) | 端子形式: | UNSPECIFIED |
端子位置: | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXFN320N17T2 | IXYS |
获取价格 |
GigaMOS TrenchT2 HiperFET Power MOSFET | |
IXFN320N17T2 | LITTELFUSE |
获取价格 |
这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值,并可提供高达600安培的高电流性能 | |
IXFN32N100P | IXYS |
获取价格 |
Polar Power MOSFET HiPerFET | |
IXFN32N100P | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 优点: 应用: | |
IXFN32N100Q3 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Q3级系列功率MOSFET为最终用户提供具有一流功率开关性能、出色热特性、强大器件耐用性和 | |
IXFN32N120 | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET Power MOSFETs | |
IXFN32N120 | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 应用: 优点: | |
IXFN32N120P | IXYS |
获取价格 |
Polar HiPerFET Power MOSFET | |
IXFN32N120P | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 优点: 应用: | |
IXFN32N60 | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET Power MOSFET |