5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > IXFN320N17T2
IXFN320N17T2 PDF预览

IXFN320N17T2

更新时间： 2024-11-22 14:56:43
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE /
页数 文件大小 规格书
7页 205K
描述
这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能（Tc=@25oC）。 通过结合高电流额定值与紧凑的封装选择，这些尺寸更加小巧的器件能够控制更高的功率。

阅读下载

中文翻译

获取价格

IXFN320N17T2 数据手册

 浏览型号IXFN320N17T2的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IXFN320N17T2的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IXFN320N17T2的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IXFN320N17T2的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IXFN320N17T2的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IXFN320N17T2的Datasheet PDF文件第7页 
Advance Technical Information  
GigaMOSTM TrenchT2  
HiperFETTM  
Power MOSFET  
VDSS = 170V  
ID25 = 260A  
RDS(on) ≤ 5.2mΩ  
IXFN320N17T2  
trr  
≤ 150ns  
N-Channel Enhancement Mode  
Avalanche Rated  
Fast Intrinsic Diode  
miniBLOC, SOT-227  
E153432  
S
G
Symbol  
VDSS  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
TJ = 25°C to 175°C  
TJ = 25°C to 175°C, RGS = 1MΩ  
170  
170  
V
V
VDGR  
S
VGSS  
VGSM  
Continuous  
Transient  
±20  
±30  
V
V
D
ID25  
TC = 25°C (Chip Capability)  
260  
A
G = Gate  
D = Drain  
S = Source  
IL(RMS)  
IDM  
External Lead Current Limit  
TC = 25°C, Pulse Width Limited by TJM  
200  
800  
A
A
Either Source Terminal S can be used as  
the Source Terminal or the Kelvin Source  
( Gate Return ) Terminal.  
IA  
TC = 25°C  
TC = 25°C  
100  
5
A
J
EAS  
dV/dt  
PD  
IS ≤ IDM, VDD ≤ VDSS, TJ ≤ 175°C  
TC = 25°C  
20  
V/ns  
W
Features  
1070  
ꢀInternational Standard Package  
ꢀminiBLOC, with Aluminium Nitride  
Isolation  
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 ... +175  
175  
-55 ... +175  
°C  
°C  
°C  
ꢀIsolation Voltage 2500 V~  
ꢀHigh Current Handling Capability  
ꢀFast Intrinsic Diode  
TL  
TSOLD  
1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s  
Plastic Body for 10s  
300  
260  
°C  
°C  
VISOL  
50/60 Hz, RMS  
t = 1 minute  
t = 1 second  
2500  
3000  
V~  
V~  
ꢀAvalanche Rated  
IISOL ≤ 1mA  
ꢀ
Low RDS(on)  
Md  
Mounting Torque  
Terminal Connection Torque  
1.5/13  
1.3/11.5  
Nm/lb.in.  
Nm/lb.in.  
Advantages  
Weight  
30  
g
ꢀ
Easy to Mount  
Space Savings  
High Power Density  
ꢀ
ꢀ
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
Applications  
(TJ = 25°C, Unless Otherwise Specified)  
Min.  
170  
2.5  
Typ.  
Max.  
ꢀ
BVDSS  
VGS(th)  
IGSS  
VGS = 0V, ID = 3mA  
VDS = VGS, ID = 8mA  
VGS = ±20V, VDS = 0V  
VDS = VDSS, VGS = 0V  
V
V
Synchronous Recification  
ꢀDC-DC Converters  
ꢀBattery Chargers  
5.0  
ꢀSwitched-Mode and Resonant-Mode  
Power Supplies  
±200 nA  
IDSS  
50 μA  
5 mA  
ꢀDC Choppers  
TJ = 150°C  
ꢀAC Motor Drives  
ꢀUninterruptible Power Supplies  
ꢀHigh Speed Power Switching  
Applications  
RDS(on)  
VGS = 10V, ID = 60A, Note 1  
5.2 mΩ  
DS100189(09/09)  
© 2009 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  
1234567

中文翻译

下载PDF

与IXFN320N17T2相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXFN32N100P IXYS

获取价格

 		Polar Power MOSFET HiPerFET
IXFN32N100P LITTELFUSE

获取价格

 		功能与特色: 优点: 应用:
IXFN32N100Q3 LITTELFUSE

获取价格

 		Q3级系列功率MOSFET为最终用户提供具有一流功率开关性能、出色热特性、强大器件耐用性和
IXFN32N120 IXYS

获取价格

 		HiPerFET Power MOSFETs
IXFN32N120 LITTELFUSE

获取价格

 		功能与特色: 应用: 优点:
IXFN32N120P IXYS

获取价格

 		Polar HiPerFET Power MOSFET
IXFN32N120P LITTELFUSE

获取价格

 		功能与特色: 优点: 应用:
IXFN32N60 IXYS

获取价格

 		HiPerFET Power MOSFET
IXFN32N80P IXYS

获取价格

 		PolarHV HiPerFET Power MOSFET
IXFN32N80P LITTELFUSE

获取价格

 		功能与特色: 优点: 应用:

与IXFN320N17T2相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证