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力特 - LITTELFUSE | / | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
5页 | 148K | |
描述 | ||
功能与特色: 优点: 应用: |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXFN300N20X3 | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, | |
IXFN300N20X3 | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, | |
IXFN30N110P | IXYS |
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Polar Power MOSFET HiPerFET | |
IXFN30N120P | IXYS |
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Polar Power MOSFET HiPerFET | |
IXFN30N120P | LITTELFUSE |
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功能与特色: 优点: 应用: | |
IXFN320N17T2 | IXYS |
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GigaMOS TrenchT2 HiperFET Power MOSFET | |
IXFN320N17T2 | LITTELFUSE |
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这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值,并可提供高达600安培的高电流性能 | |
IXFN32N100P | IXYS |
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Polar Power MOSFET HiPerFET | |
IXFN32N100P | LITTELFUSE |
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功能与特色: 优点: 应用: | |
IXFN32N100Q3 | LITTELFUSE |
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Q3级系列功率MOSFET为最终用户提供具有一流功率开关性能、出色热特性、强大器件耐用性和 |