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IXFN230N20T

更新时间： 2024-02-28 18:41:55

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5页	143K
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GigaMOS Power MOSFET

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IXFN230N20T 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	4.98

IXFN230N20T 数据手册

IXFN230N20T

Fig. 7. Input Admittance

Fig. 8. Transconductance

200

180

160

140

120

100

280

240

200

160

120

T_J= - 40ºC

25ºC

T_J= 150ºC

150ºC

25ºC

- 40ºC

3.0

3.5

4.0

4.5

5.0

5.5

6.0

1.2

6.5

1.4

100 120 140 160 180 200

V_GS- Volts

I_D- Amperes

Fig. 9. Forward Voltage Drop of

Intrinsic Diode

Fig. 10. Gate Charge

350

300

250

200

150

100

V_DS= 100V

_D= 115A

_G= 10mA

T_J= 150ºC

T_J= 25ºC

0.0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

120 160 200 240 280 320 360 400

Q_G- NanoCoulombs

V_SD- Volts

Fig. 11. Capacitance

Fig. 12. Forward-Bias Safe Operating Area

1,000

100

100,000

10,000

1,000

100

= 1 MHz

R_DS(on)Limit

25µs

iss

oss

100µs

T_J= 175ºC

T_C= 25ºC

Single Pulse

1ms

rss

100

1000

V_DS- Volts

IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.

IXYS REF: F_230N20T (9E)03-25-09

1 2 345

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