是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | TO-247AC |
包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
Factory Lead Time: | 6 weeks | 风险等级: | 0.69 |
Is Samacsys: | N | 其他特性: | AVALANCHE RATED, FAST SWITCHING |
雪崩能效等级(Eas): | 830 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 100 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 40 A | 最大漏极电流 (ID): | 41 A |
最大漏源导通电阻: | 0.055 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-247AC | JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 |
JESD-609代码: | e3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 175 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT APPLICABLE | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 180 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 160 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Powers |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT APPLICABLE | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
IRFP150NPBF | INFINEON |
功能相似 |
HEXFET® Power MOSFET |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IRFP150R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 40A I(D) | TO-247 | |
IRFP150V | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET | |
IRFP150VPBF | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET | |
IRFP151 | IXYS |
获取价格 |
HIGH VOLTAGE POWER MOSFET DIE | |
IRFP151FI | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 26A I(D) | TO-218VAR | |
IRFP151R | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 40A I(D) | TO-247 | |
IRFP152 | IXYS |
获取价格 |
HIGH VOLTAGE POWER MOSFET DIE | |
IRFP152FI | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 21A I(D) | TO-218VAR | |
IRFP152R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 34A I(D) | TO-247 | |
IRFP153 | IXYS |
获取价格 |
HIGH VOLTAGE POWER MOSFET DIE |