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IXTP3N100P

更新时间： 2024-11-05 12:27:43

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4页	155K
描述
Polar VHVTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode

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IXTP3N100P 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-220AB	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.67	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	200 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	1000 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	3 A	最大漏极电流 (ID)：	3 A
最大漏源导通电阻：	4.8 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	125 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	6 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXTP3N100P 数据手册

Polar VHV^TM

Power MOSFET

IXTA3N100P

IXTH3N100P

IXTP3N100P

V_DSS= 1000V

I_D25

R_DS(on)

≤

4.8Ω

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-263 (IXTA)

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

(TAB)

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

1000

TO-220 (IXTP)

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

±20

±30

(TAB)

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

I_A

E_AR

E_AS

T_C= 25°C

200

TO-247 (IXTH)

dV/dt

P_D

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J≤ 150°C

T_C= 25°C

V/ns

125

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

(TAB)

G = Gate

S = Source

D = Drain

TAB = Drain

T_L

T_SOLD

1.6mm (0.062) from case for 10s

Plastic body for 10s

300

260

°C

Features

M_d

Mounting torque

(TO-220)

1.13 / 10

Nm/lb.in.

Weight

TO-263

TO-220

TO-247

2.5

3.0

6.0

^zInternational standard packages

^zUnclamped Inductive Switching

(UIS) rated

^zLow package inductance

- easy to drive and to protect

Advantages

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

Easy to mount

Space savings

High power density

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250μA

V_DS= V_GS, I_D= 250μA

V_GS= ±20V, V_DS= 0V

1000

2.5

4.5

±50 nA

μA

Applications:

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0V

^zSwitched-mode and resonant-mode

power supplies

T_J= 125°C

250 μA

^zDC-DC Converters

^zLaser Drivers

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

4.8 Ω

^zAC and DC motor controls

^zRobotics and servo controls

DS99767(08/07)

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXTH3N100P	IXYS	类似代替	Polar VHVTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode
IXTA3N100P	IXYS	功能相似	Polar VHVTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode

与IXTP3N100P相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTP3N110	IXYS	获取价格	High Voltage Power MOSFETs
IXTP3N120	IXYS	获取价格	High Voltage Power MOSFETs
IXTP3N120	LITTELFUSE	获取价格	高压系列N通道标准MOSFET适用于多种多样的电源开关系统，包括高压电源、电容放电电路、脉
IXTP3N50D2	IXYS	获取价格	Depletion Mode MOSFET
IXTP3N50D2	LITTELFUSE	获取价格	不同于增强型MOSFET，这些耗尽型器件在“常开”模式下运行，因此栅极引出线处需要的开启电
IXTP3N50P	IXYS	获取价格	PolarHV Power MOSFET
IXTP3N60P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 600V, 2.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IXTP3N60P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTP3N80	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 800V V(BR)DSS \| 3A I(D) \| TO-220AB
IXTP3N80A	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 800V V(BR)DSS \| 3A I(D) \| TO-220AB

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