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力特 - LITTELFUSE | / | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
12页 | 1058K | |
描述 | ||
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Active |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.8 |
Is Samacsys: | N | 配置: | Single |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 3 A | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-609代码: | e0 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 75 W | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXTP3P45 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-220 | |
IXTP3P50 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-220 | |
IXTP42N15T | IXYS |
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TrenchHVTM Power MOSFET | |
IXTP42N15T | LITTELFUSE |
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沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用,所需的RDS(on)极低,因此确保了非常低 | |
IXTP42N25P | IXYS |
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PolarHTTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated | |
IXTP42N25P | LITTELFUSE |
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Polar?标准功率MOSFET经过专门定制,可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡 | |
IXTP44N10T | IXYS |
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TrenchMV⢠Power MOSFET | |
IXTP44N10T | LITTELFUSE |
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沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用,所需的RDS(on)极低,因此确保了非常低 | |
IXTP44P15T | IXYS |
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P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated | |
IXTP44P15T | LITTELFUSE |
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Trench P通道MOSFET非常适合“高压侧”开关应用,这些应用可采用简单的接地参考驱 |