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IXTP42N15T

更新时间: 2024-11-19 14:56:51
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力特 - LITTELFUSE
页数 文件大小 规格书
6页 226K
描述
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用,所需的RDS(on)极低,因此确保了非常低的功率耗损。 再结合广泛的工作结温范围(从-40 °C到175 °C),这些产品非常适合汽车应用以及其他处

IXTP42N15T 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:,Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.45JESD-609代码:e3
端子面层:Matte Tin (Sn)

IXTP42N15T 数据手册

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TrenchHVTM  
Power MOSFET  
VDSS = 150V  
ID25 = 42A  
RDS(on) 45mΩ  
IXTA42N15T  
IXTP42N15T  
N-Channel Enhancement Mode  
Avalanche Rated  
TO-263  
Symbol  
VDSS  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
G
S
TJ = 25°C to 175°C  
TJ = 25°C to 175°C, RGS = 1MΩ  
150  
150  
V
V
(TAB)  
VDGR  
VGSM  
Transient  
± 30  
V
TO-220  
ID25  
IDM  
TC = 25°C  
42  
A
A
TC = 25°C, pulse width limited by TJM  
100  
IA  
TC = 25°C  
TC = 25°C  
5
A
G
D
EAS  
400  
mJ  
(TAB)  
Drain  
S
PD  
TC = 25°C  
200  
W
TJ  
-55 ... +175  
175  
°C  
°C  
°C  
G = Gate  
D
=
TJM  
Tstg  
S = Source  
TAB = Drain  
-55 ... +175  
TL  
TSOLD  
1.6mm (0.062in.) from case for 10s  
Plastic body for 10 seconds  
300  
260  
°C  
°C  
Features  
Md  
Mounting torque (TO-220)  
1.13 / 10  
Nm/lb.in.  
z International standard packages  
z 175°C Operating Temperature  
z Avalanche rated  
Weight  
TO-263  
TO-220  
2.5  
3.0  
g
g
Advantages  
z
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
Easy to mount  
Space savings  
High power density  
z
(TJ = 25°C unless otherwise specified)  
Min. Typ.  
Max.  
z
BVDSS  
VGS(th)  
IGSS  
VGS = 0V, ID = 250μA  
VDS = VGS, ID = 250μA  
VGS = ± 20V, VDS = 0V  
150  
2.5  
V
V
4.5  
Applications  
±100 nA  
μA  
z DC-DC converters  
z Battery chargers  
IDSS  
VDS = VDSS  
VGS = 0V  
5
z Switched-mode and resonant-mode  
power supplies  
TJ = 150°C  
150 μA  
45 mΩ  
RDS(on)  
VGS = 10V, ID = 0.5 • ID25, Notes 1, 2  
38  
z DC choppers  
z AC motor drives  
z Uninterruptible power supplies  
z High speed power switching  
applications  
DS99799A(11/08)  
© 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved  

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