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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXTP3N80A | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-220AB |
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| IXTP3N90 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-220AB |
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| IXTP3N90A | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
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| IXTP3P45 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-220 |
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| IXTP3P50 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-220 |
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| IXTP42N15T | IXYS |
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TrenchHVTM Power MOSFET |
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| IXTP42N15T | LITTELFUSE |
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沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低 |
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| IXTP42N25P | IXYS |
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PolarHTTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated |
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| IXTP42N25P | LITTELFUSE |
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Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡 |
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| IXTP44N10T | IXYS |
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TrenchMV⢠Power MOSFET |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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