Datasheet > IXTP3N50D2

IXTP3N50D2

更新时间： 2024-11-19 14:56:23

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		栅栅极
页数	文件大小	规格书
6页	182K
描述
不同于增强型MOSFET，这些耗尽型器件在“常开”模式下运行，因此栅极引出线处需要的开启电压为零。凭借高达1700V的阻断电压和较低的漏极到源极电阻，这些器件在持续“开启”的系统（例如紧急警报或

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXTP3N50D2 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.75
Base Number Matches：	1

IXTP3N50D2 数据手册

Depletion Mode

MOSFET

V_DSX= 500V

I_D(on)> 3A

IXTA3N50D2

IXTP3N50D2

R_DS(on) 1.5

N-Channel

TO-263 AA (IXTA)

D (Tab)

Symbol

V_DSX

Test Conditions

Maximum Ratings

TO-220AB (IXTP)

T_J= 25C to 150C

500

V_GSX

V_GSM

Continuous

Transient

20

30

P_D

T_C= 25C

125

D (Tab)

= Drain

T_J

T_JM

T_stg

- 55 ... +150

150

- 55 ... +150

C

G = Gate

S = Source

Tab = Drain

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C

M_d

Mounting Torque (TO-220)

1.13 / 10

Nm/lb.in

Features

Weight

TO-263

TO-220

2.5

3.0

• Normally ON Mode

• International Standard Packages

• Molding Epoxies Meet UL94V-0

Flammability Classification

Advantages

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

• Easy to Mount

• Space Savings

• High Power Density

(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.

BV_DSX

V_GS(off)

I_GSX

V_GS= - 5V, I_D= 250A

V_DS= 25V, I_D= 250A

V_GS= 20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSX, V_GS= - 5V

500

- 2.0

- 4.5

Applications

100 nA

A

50 A

I_DSX(off)

• Audio Amplifiers

• Start-up Circuits

• Protection Circuits

• Ramp Generators

• Current Regulators

• Active Loads

T_J= 125C

R_DS(on)

I_D(on)

V_GS= 0V, I_D= 1.5A, Note 1

V_GS= 0V, V_DS= 25V, Note 1

1.5



DS100148D(4/17)

12 3 4 5 6

中文翻译

下载PDF

与IXTP3N50D2相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTP3N50P	IXYS	获取价格	PolarHV Power MOSFET
IXTP3N60P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 600V, 2.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IXTP3N60P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTP3N80	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 800V V(BR)DSS \| 3A I(D) \| TO-220AB
IXTP3N80A	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 800V V(BR)DSS \| 3A I(D) \| TO-220AB
IXTP3N90	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 900V V(BR)DSS \| 3A I(D) \| TO-220AB
IXTP3N90A	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
IXTP3P45	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 450V V(BR)DSS \| 3A I(D) \| TO-220
IXTP3P50	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 500V V(BR)DSS \| 3A I(D) \| TO-220
IXTP42N15T	IXYS	获取价格	TrenchHVTM Power MOSFET