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IXTT140N10P

更新时间： 2024-01-28 07:16:31

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IXYS		晶体晶体管开关脉冲局域网
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5页	170K
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PolarHT⑩ Power MOSFET

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IXTT140N10P 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-268AA
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	4
Reach Compliance Code：	not_compliant	风险等级：	8.52
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	2500 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	140 A
最大漏极电流 (ID)：	140 A	最大漏源导通电阻：	0.011 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-268AA
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	600 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	300 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Powers
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXTT140N10P 数据手册

IXTQ 140N10P

IXTT 140N10P

Fig. 8. Transconductance

Fig. 7. Input Admittance

250

225

200

175

150

125

100

T_J= -40 C

₂₅º_C

₁₅₀º_C

T_J= 150 C

₂₅º_C

_-40º_C

4.5

5.5

6.5

V_{G S}- Volts

7.5

8.5

9.5

120 160 200 240 280 320

I _D- Amperes

Fig. 9. Source Current vs.

Source-To-Drain Voltage

Fig. 10. Gate Charge

300

250

200

150

100

V_DS= 50V

I_D= 70A

_G= 10mA

T_J= 150 C

T_J= 25 C

0.4

0.6

0.8

V_{S D}- Volts

1.2

1.4

1.6

40 80

Q _G- nanoCoulombs

100 120 140 160

Fig. 12. Forward-Bias

Safe Operating Area

Fig. 11. Capacitance

10000

1000

100

1000

100

T_J= 175 C

_{= 25}º_C

T_C

R_DS(on)Limit

iss

25µs

100µs

oss

1ms

10ms

rss

f = 1MHz

15 20

V_DS- Volts

100

1000

V_{D S}- Volts

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

1 2 345

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