IXFH140N10P

更新时间： 2024-11-17 21:53:35

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IXYS		晶体晶体管开关脉冲局域网
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描述
PolarHV HiPerFET Power MOSFETs

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IXFH140N10P 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-247AD	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.7
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	2500 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (ID)：	140 A
最大漏源导通电阻：	0.011 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-247AD	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	300 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXFH140N10P 数据手册

Advance Technical Information

IXFH 140N10P

IXFT 140N10P

V_DSS= 100 V

PolarHV^TMHiPerFET

Power MOSFETs

I_D25

= 140 A

R_DS(on)

11 mΩ

N-ChannelEnhancementMode

FastIntrinsicDiode;AvalancheRated

TO-247(IXFT)

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 175°C

T_J= 25°C to 175°C; R_GS= 1 MΩ

100

D (TAB)

V_GSM

I_D25

T_C= 25°C

140

I_D(RMS)

I_DM

External lead current limit

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

300

TO-268(IXFT)

I_AR

T_C= 25°C

E_AR

E_AS

T_C= 25°C

2.5

D (TAB)

dv/dt

P_D

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/μs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 4 Ω

V/ns

G = Gate

S = Source

D = Drain

TAB = Drain

T_C= 25°C

600

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +175

175

-55 ... +150

°C

Features

^zInternational standard packages

^zUnclamped Inductive Switching (UIS)

rated

^zLow package inductance

- easy to drive and to protect

T_L

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

300

°C

M_d

Mounting torque

(TO-247)

1.13/10 Nm/lb.in.

Weight

TO-247

TO-268

6.0

5.0

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

Advantages

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

Easy to mount

Space savings

High power density

V_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 μA

V_DS= V_GS, I_D= 4.0 mA

V_GS= 20 V_DC, V_DS= 0

100

3.0

5.0

100

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

500

μA

T_J= 175°C

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

V_GS= 15 V, I_D= 300 A

11 mΩ

mΩ

Pulse test, t ≤ 300 μs, duty cycle d ≤ 2 %

DS99213(02/04)

12 3 4 5

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IXFH140N10P 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXTT140N10P	IXYS	完全替代	PolarHT⑩ Power MOSFET
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IXFH140N20X3	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFH14N100	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs
IXFH14N100Q2	IXYS	获取价格	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg Low Rg, High dv/dt, Low trr
IXFH14N100Q2	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用: 优点:
IXFH14N100Q2_08	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs Q2-Class
IXFH14N60	IXYS	获取价格	HIPERFET Power MOSFTETs
IXFH14N60P	IXYS	获取价格	PolarHV HiperFET Power MOSFET
IXFH14N60P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFH14N60P3	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 600V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met

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