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IXFH14N60P

更新时间： 2024-11-02 11:13:59

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IXYS		/
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5页	151K
描述
PolarHV HiperFET Power MOSFET

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IXFH14N60P 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-247AD	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	8.32
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	900 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	600 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	14 A
最大漏极电流 (ID)：	14 A	最大漏源导通电阻：	0.55 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-247AD
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	300 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	42 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXFH14N60P 数据手册

PolarHV^TMHiperFET

Power MOSFET

V_DSS= 600V

I_D25= 14A

IXFA14N60P

IXFP14N60P

IXFH14N60P

R_DS(on)≤ 550mΩ

t_rr

≤ 200ns

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Fast Intrinsic Diode

TO-263

(TAB)

TO-220

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C R_GS= 1MΩ

600

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

± 30

± 40

(TAB)

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

TO-247

I_A

E_AS

T_C= 25°C

900

dV/dt

P_D

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J≤ 150°C

T_C= 25°C

V/ns

(TAB)

300

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

G = Gate

= Drain

S = Source

TAB = Drain

T_L

T_SOLD

1.6mm (0.062 in.) from case for 10s

Plastic body for 10 seconds

300

260

°C

Features

Mounting Torque

Mounting Force

(TO-220 & TO-247)

(TO-263)

1.13 / 10

10..65 / 2.2..14.6

Nmlb.in.

N/lb.

F_C^d

^zInternational standard packages

^zAvalanche rated

Weight

TO-263

TO-220

TO-247

2.5

3.0

6.0

Advantages

Easy to mount

Space savings

High power density

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C unless otherwise specified)

Min.

600

3.0

Typ.

Max.

Applications:

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250μA

V_DS= V_GS, I_D= 2.5mA

V_GS= ± 30V, V_DS= 0V

^zSwitched-mode and resonant-mode

power supplies

5.5

^zDC-DC Converters

^zLaser Drivers

± 100 nA

μA

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0V

^zAC and DC motor drives

^zRobotics and servo controls

T_J= 125°C

500 μA

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

450

550 mΩ

DS99389F(12/08)

12 3 4 5

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IXFH14N60P 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXFH14N60P3	IXYS	类似代替	Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 600V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXFP14N60P	IXYS	类似代替	PolarHV HiperFET Power MOSFET
IXFA14N60P	IXYS	类似代替	PolarHV HiperFET Power MOSFET

与IXFH14N60P相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFH14N60P3	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 600V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXFH14N60P3	LITTELFUSE	获取价格	PolarP3? HiPerFET?产品系列是针对300V, 500V至600V产品系列的
IXFH14N80	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs
IXFH14N80P	IXYS	获取价格	PolarHV HiPerFET Power MOSFET
IXFH14N80P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFH14N85X	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFH14N85X	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFH150	IXYS	获取价格	HIPERFET Power MOSFTETs
IXFH150N15P	IXYS	获取价格	PolarHT⑩ HiPerFET Power MOSFET
IXFH150N15P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:

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