5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | End Of Life |
| 零件包装代码： | TO-247AD | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.71 | 其他特性： | AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 700 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 600 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 14 A | 最大漏极电流 (ID)： | 14 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.54 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-247AD | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 327 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 35 A |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IXFH14N60P | IXYS |
类似代替  |
PolarHV HiperFET Power MOSFET |
|
| IXFA14N60P3 | IXYS |
功能相似 |
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 600V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXFH14N80 | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET Power MOSFETs |
|
| IXFH14N80P | IXYS |
获取价格 |
PolarHV HiPerFET Power MOSFET |
|
| IXFH14N80P | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 优点: 应用: |
|
| IXFH14N85X | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
|
| IXFH14N85X | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
|
| IXFH150 | IXYS |
获取价格 |
HIPERFET Power MOSFTETs |
|
| IXFH150N15P | IXYS |
获取价格 |
PolarHT⑩ HiPerFET Power MOSFET |
|
| IXFH150N15P | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 优点: 应用: |
|
| IXFH150N17T | IXYS |
获取价格 |
TrenchHV Power MOSFET HiperFET |
|
| IXFH150N17T2 | IXYS |
获取价格 |
TrenchT2 HiperFET Power MOSFET |
|
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
替代型号
如果您发现信息不准确，
