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力特 - LITTELFUSE | / | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
7页 | 383K | |
描述 | ||
Power Field-Effect Transistor, |
生命周期: | Active | 包装说明: | , |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.76 |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXFH150 | IXYS |
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HIPERFET Power MOSFTETs | |
IXFH150N15P | IXYS |
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PolarHT⑩ HiPerFET Power MOSFET | |
IXFH150N15P | LITTELFUSE |
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功能与特色: 优点: 应用: | |
IXFH150N17T | IXYS |
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TrenchHV Power MOSFET HiperFET | |
IXFH150N17T2 | IXYS |
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TrenchT2 HiperFET Power MOSFET | |
IXFH150N17T2 | LITTELFUSE |
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这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值,并可提供高达600安培的高电流性能 | |
IXFH150N20T | IXYS |
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N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Rectifier | |
IXFH150N20T | LITTELFUSE |
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沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用,所需的RDS(on)极低,因此确保了非常低 | |
IXFH150N25X3 | LITTELFUSE |
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超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发,可提供出类拔萃的质量因数(导通电阻乘 | |
IXFH150N30X3 | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, |