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IXFH14N85X

更新时间： 2024-01-27 07:38:15

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力特 - LITTELFUSE		/
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7页	383K
描述
Power Field-Effect Transistor,

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IXFH14N85X 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.76
Base Number Matches：	1

IXFH14N85X 数据手册

IXFA14N85XHV IXFP14N85X

IXFH14N85X

Fig. 7. Maximum Drain Current vs. Case Temperature

Fig. 8. Input Admittance

= 125^oC

25^oC

- 40^oC

-50

-25

100

125

150

3.5

0.3

4.0

4.5

5.0

5.5

6.0

6.5

7.0

7.5

8.0

8.5

9.0

T_C- Degrees Centigrade

V_GS- Volts

Fig. 10. Forward Voltage Drop of Intrinsic Diode

Fig. 9. Transconductance

= - 40^oC

25^oC

125^oC

= 125^oC

= 25^oC

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

1.0

1.1

1.2

1.3

V_SD- Volts

I_D- Amperes

Fig. 12. Capacitance

Fig. 11. Gate Charge

10,000.0

1,000.0

100.0

10.0

= 425V

= 7A

= 10mA

iss

oss

rss

1.0

= 1 MHz

0.1

100

1000

V_DS- Volts

Q_G- NanoCoulombs

IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.

1 2 345 6 7

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