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IXFH14N80P

更新时间： 2024-11-18 11:13:59

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5页	225K
描述
PolarHV HiPerFET Power MOSFET

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IXFH14N80P 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-247AD
包装说明：	TO-247, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	8.36
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	500 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	800 V	最大漏极电流 (ID)：	14 A
最大漏源导通电阻：	0.72 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-247AD	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXFH14N80P 数据手册

PolarHV^TMHiPerFET

Power MOSFET

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

IXFH 14N80P

IXFQ 14N80P

IXFT 14N80P

IXFV 14N80P

IXFV 14N80PS

V_DSS= 800 V

I_D25= 14 A

R_DS(on)≤ 720 mΩ

t_rr≤ 250 ms

Fast Intrinsic Diode

TO-247 (IXFH)

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

D (TAB)

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 175°C

T_J= 25°C to 175°C; R_GS= 1 MΩ

800

TO-3P (IXFQ)

V_GS

V_GSM

Continuous

Transient

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

(TAB)

I_AR

E_AR

E_AS

T_C= 25°C

500

TO-268 (IXFT)

dv/dt

P_D

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/μs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 5 Ω

V/ns

D (TAB)

T_C= 25°C

400

PLUS220 (IXFV)

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

D (TAB)

T_L

T_SOLD

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Plastic body for 10 s

300

260

°C

PLUS220SMD (IXFV...S)

M_d

Mounting torque (TO-247, TO-3P)

1.13/10 Nm/lb.in.

Weight

PLUS220, PLUS220 SMD

TO-268, TO-3P

TO-247

5.5

D (TAB)

G = Gate

D = Drain

S = Source

TAB = Drain

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

Features

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

^zInternational standard packages

^zUnclamped Inductive Switching (UIS)

rated

^zLow package inductance

- easy to drive and to protect

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 250μA

V_DS= V_GS, I_D= 4 mA

V_GS= 30 V, V_DS= 0 V

800

3.0

5.5

100

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

μA

Advantages

T_J= 125°C

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

Pulse test, t ≤ 300 μs, duty cycle d ≤ 2 %

720 mΩ

Easy to mount

Space savings

High power density

DS99593E(07/06)

12 3 4 5

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IXFH14N80P 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXFQ14N80P	IXYS	功能相似	PolarHV HiPerFET Power MOSFET
IXFV14N80P	IXYS	功能相似	PolarHV HiPerFET Power MOSFET
IXFT14N80P	IXYS	功能相似	PolarHV HiPerFET Power MOSFET

与IXFH14N80P相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFH14N85X	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFH14N85X	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFH150	IXYS	获取价格	HIPERFET Power MOSFTETs
IXFH150N15P	IXYS	获取价格	PolarHT⑩ HiPerFET Power MOSFET
IXFH150N15P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFH150N17T	IXYS	获取价格	TrenchHV Power MOSFET HiperFET
IXFH150N17T2	IXYS	获取价格	TrenchT2 HiperFET Power MOSFET
IXFH150N17T2	LITTELFUSE	获取价格	这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能
IXFH150N20T	IXYS	获取价格	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Rectifier
IXFH150N20T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低

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