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IXFH14N80P

更新时间： 2024-01-24 22:04:41

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5页	225K
描述
PolarHV HiPerFET Power MOSFET

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IXFH14N80P 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-247AD
包装说明：	TO-247, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	8.36
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	500 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	800 V	最大漏极电流 (ID)：	14 A
最大漏源导通电阻：	0.72 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-247AD	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXFH14N80P 数据手册

IXFH 14N80P IXFQ 14N80P

IXFT 14N80P IXFV 14N80P IXFV 14N80PS

Fig. 8. Transconductance

Fig. 7. Input Admittance

= - 40ºC

= 125ºC

25ºC

125ºC

25ºC

- 40ºC

3.5

4.5

5.5

V_GS- Volts

I_D- Amperes

Fig. 9. Forward Voltage Drop of

Intrinsic Diode

Fig. 10. Gate Charge

=400V

= 7A

= 10mA

= 125ºC

= 25ºC

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

1.1

V_SD- Volts

Q_G- NanoCoulombs

Fig. 13. Maximum Transient Thermal

Resistance

Fig. 11. Capacitance

1.000

0.100

0.010

10,000

1,000

100

f = 1 MHz

iss

oss

rss

0.0001

0.001

0.01

0.1

Pulse Width - Seconds

V_DS- Volts

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

IXYS REF: F_14N80P (6J) 5-02-06.xls

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