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IXFH14N100

更新时间： 2024-11-17 22:16:27
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IXYS /
页数 文件大小 规格书
4页 119K
描述
HiPerFET Power MOSFETs

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IXFH14N100 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-247
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.36
其他特性：AVALANCHE RATED外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：1000 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：14 A最大漏极电流 (ID)：14 A
最大漏源导通电阻：0.75 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-247JESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：360 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：56 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IXFH14N100 数据手册

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HiPerFETTM  
Power MOSFETs  
VDSS  
ID25  
RDS(on)  
IXFH/IXFT/IXFX14N100 1000 V  
IXFH/IXFT/IXFX15N100 1000 V  
14 A 0.75 W  
15 A 0.70 W  
trr £ 200 ns  
N-Channel Enhancement Mode  
High dv/dt, Low trr, HDMOSTM Family  
Preliminarydatasheet  
TO-247 AD  
(IXFH)  
Symbol  
TestConditions  
MaximumRatings  
VDSS  
VDGR  
TJ = 25°C to 150°C  
TJ = 25°C to 150°C; RGS = 1 MW  
1000  
1000  
V
V
(TAB)  
VGS  
VGSM  
Continuous  
Transient  
±20  
±30  
V
V
PLUS247TM  
(IXFX)  
ID25  
IDM  
IAR  
TC = 25°C  
14N100  
15N100  
14N100  
15N100  
14N100  
15N100  
14  
15  
56  
60  
14  
15  
A
A
A
A
A
A
TC = 25°C, pulse width limited by TJM  
TC = 25°C  
(TAB)  
(TAB)  
G
D
EAR  
TC = 25°C  
45  
5
mJ  
TO-268 (D3)  
(IXFT)  
dv/dt  
IS £ IDM, di/dt £ 100 A/ms, VDD £ VDSS  
TJ £ 150°C, RG = 2 W  
,
V/ns  
PD  
TJ  
TC = 25°C  
360  
W
G
S
-55 ... +150  
°C  
TJM  
Tstg  
150  
-55 ... +150  
°C  
°C  
Features  
● Internationalstandardpackages  
● Low RDS (on) HDMOSTM process  
TL  
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s  
Mountingtorque  
300  
°C  
● Rugged polysilicon gate cell structure  
● UnclampedInductiveSwitching(UIS)  
rated  
● Low package inductance  
- easy to drive and to protect  
● Fast intrinsic Rectifier  
Md  
1.13/10 Nm/lb.in.  
Weight  
6
g
Symbol  
TestConditions  
CharacteristicValues  
(TJ = 25°C, unless otherwise specified)  
Applications  
●
DC-DC converters  
Battery chargers  
Switched-modeandresonant-mode  
●
min. typ. max.  
●
VDSS  
VGS = 0 V, ID = 1 mA  
VDS = VGS, ID = 4 mA  
1000  
2.5  
V
V
powersupplies  
DC choppers  
● AC motor control  
●
VGS(th)  
4.5  
●
IGSS  
IDSS  
VGS = ±20 VDC, VDS = 0  
±100 nA  
250 mA  
Temperatureandlightingcontrols  
VDS = 0.8 • VDSS  
VGS = 0 V  
TJ = 25°C  
TJ = 125°C  
Advantages  
●
1
mA  
Easy to mount with 1 screw (TO-247)  
(isolated mounting screw hole) or  
RDS(on)  
VGS = 10 V, ID = 0.5 • ID25  
14N100  
15N100  
0.75  
0.70  
W
W
mounting clip or spring (PLUS 247TM)  
●
Highpowersurfacemountablepackage  
High power density  
Pulse test, t £ 300 ms, duty cycle d £ 2 %  
●
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.  
© 2000 IXYS All rights reserved  
97535B(1/99)  
1 - 4  
1234

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IXFH14N100 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IXFH14N100Q2 IXYS

类似代替

 N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg Low Rg, High dv/dt, Low trr

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXFH14N100Q2 IXYS

获取价格

 		N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg Low Rg, High dv/dt, Low trr
IXFH14N100Q2 LITTELFUSE

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 		功能与特色: 应用: 优点:
IXFH14N100Q2_08 IXYS

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 		功能与特色: 优点: 应用:
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