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IXFH14N100Q2

更新时间： 2024-11-17 22:34:07

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4页	565K
描述
N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg Low Rg, High dv/dt, Low trr

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IXFH14N100Q2 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-247AD	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	3.72
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	2500 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	1000 V	最大漏极电流 (ID)：	14 A
最大漏源导通电阻：	0.95 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-247AD	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	56 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXFH14N100Q2 数据手册

Advanced Technical Data

HiPerFET^TM

Power MOSFETs

V_DSS

I_D25

= 1000 V

IXFH14N100Q2

14 A

R_DS(on)= 0.90 Ω

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated, Low Q_g

Low R_g, High dv/dt, Low t_rr

t_rr≤ 300 ns

TO-247 AD (IXFH)

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

= 25°C to 150°C

1000

T^J_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

(TAB)

V_GS

V_GSM

Continuous

Transient

I_D25

I_DM

I_AR

= 25°C

T^C= 25°C, pulse width limited by T_JM

G = Gate

S = Source

T^C_C= 25°C

TAB = Drain

E_AR

E_AS

= 25°C

2.5

T^C_C= 25°C

Features

Double metal process for low gate

resistance

International standard packages

Epoxy meet UL 94 V-0, flammability

classification

Low R_{DS (on)}, low Q_g

Avalanche energy and current rated

Fast intrinsic rectifier

dv/dt

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/µs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 2 Ω

V/ns

P_D

T_C= 25°C

500

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

T_L

1.6 mm (0.063 in) from case for 10 s

Mounting torque

300

°C

Applications

M_d

1.13/10 Nm/lb.in.

DC-DC converters

Switched-mode and resonant-mode

power supplies, >500kHz switching

DC choppers

Pulse generation

Laser drivers

Weight

Advantages

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Easy to mount

Space savings

High power density

min. typ. max.

V_DSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 µA

1000

3.0

V_GS(th)

V_DS= V_GS, I_D= 4 mA

5.0

I_GSS

I_DSS

V_GS= 30 V_DC, V_DS= 0

200 nA

V_DS= V

T = 25°C

25 µA

V_GS= 0^DV^SS

T_J^J= 125°C

R_DS(on)

= 10 V, I_D= 0.5 • I

0.90

Ω

Pu^GSlse test, t ≤ 300 µs,^Dd²⁵uty cycle d ≤ 2 %

DS99073(08/03)

12 3 4

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IXFH14N100Q2 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXFH14N100	IXYS	类似代替	HiPerFET Power MOSFETs
APT14M100B	MICROSEMI	功能相似	N-Channel MOSFET
STW13NK100Z	STMICROELECTRONICS	功能相似	N-CHANNEL 1000V - 0.56 OHM - 13A TO-247 Zener-Protected SuperMESH Power MOSFET

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFH14N100Q2_08	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs Q2-Class
IXFH14N60	IXYS	获取价格	HIPERFET Power MOSFTETs
IXFH14N60P	IXYS	获取价格	PolarHV HiperFET Power MOSFET
IXFH14N60P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFH14N60P3	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 600V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXFH14N60P3	LITTELFUSE	获取价格	PolarP3? HiPerFET?产品系列是针对300V, 500V至600V产品系列的
IXFH14N80	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs
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