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IXFT140N20X3HV

更新时间： 2024-11-19 14:56:51

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		开关栅栅极
页数	文件大小	规格书
7页	339K
描述
超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，可提供出类拔萃的质量因数（导通电阻乘以栅极电荷），最大限度地降低传导和开关损耗。该系列产品表现出业内最低的导通电阻。凭借较低的反向恢复电荷

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IXFT140N20X3HV 数据手册

Preliminary Technical Information

X3-Class HiPerFET^TM

Power MOSFET

V_DSS= 200V

I_D25= 140A

R_DS(on) 9.6m

IXFT140N20X3HV

IXFQ140N20X3

IXFH140N20X3

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-268HV (IXFT)

D (Tab)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

TO-3P (IXFQ)

T_J= 25C to 150C

200

V_DGR

T_J= 25C to 150C, R_GS= 1M

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

20

30

I_D25

I_DM

T_C= 25C

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

140

250

D (Tab)

TO-247 (IXFH)

I_A

T_C= 25C

E_AS

1.7

dv/dt

P_D

I_S I_DM, V_DD V_DSS, T_J 150°C

T_C= 25C

V/ns

480

T_J

-55 ... +150

150

C

D (Tab)

D = Drain

T_JM

T_stg

G = Gate

S = Source

-55 ... +150

Tab = Drain

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C

Features

M_d

Mounting Torque (TO-247 & TO-3P)

1.13 / 10

Nm/lb.in

Weight

TO-268HV

TO-3P

TO-247

4.0

5.5

6.0



International Standard Packages

Low R_DS(ON)and Q_G

Avalanche Rated



Low Package Inductance

Advantages

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.



High Power Density

Easy to Mount

Space Savings



BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 1mA

V_DS= V_GS, I_D= 4mA

V_GS= 20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

200



2.5

4.5

100 nA

Applications

I_DSS

10 A

500 A



Switch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

DC-DC Converters

PFC Circuits

AC and DC Motor Drives

Robotics and Servo Controls

T_J= 125C



R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

8.0

9.6 m



DS100843C(11/17)

12 3 4 5 6 7

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与IXFT140N20X3HV相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFT14N100	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 1KV V(BR)DSS \| 14A I(D) \| TO-268
IXFT14N100Q	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 1000V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IXFT14N80P	IXYS	获取价格	PolarHV HiPerFET Power MOSFET
IXFT14N80P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFT150N17T2	IXYS	获取价格	TrenchT2 HiperFET Power MOSFET
IXFT150N17T2	LITTELFUSE	获取价格	这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能
IXFT150N20T	IXYS	获取价格	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Rectifier
IXFT150N20T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低
IXFT150N25X3HV	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFT150N25X3HV	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,

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